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巨头都扩产 3D NAND恐有过剩隐忧
2017-08-17 标签: ICNET  存储  半导体 来源:ICNET


【导读】基于全球3D NAND的缺货涨价现状,各主要存储厂商均启动规模庞大的扩产计划,未来3D闪存的供应量将大大提升。不过,这轮闪存扩产也引得相关业者担忧,认为未来市场行情将朝着供过于求的方向转变。



随着各大存储器厂商陆续克服64层及以上3D NAND闪存的量产障碍,3D闪存从今年二季度起正式进入扩产快车道。目前,包括三星、SK海力士、东芝等一些列闪存厂商都有扩产计划,或是为了改进技术、提高良率,或是直接扩大产量以迎合广大的市场需求。


基于供需双方面的因素,3D闪存从去年下半年开始步入缺货涨价行情,且愈演愈烈。价格上看,自2016年Q3到2017年Q2,各类3D闪存平均涨价11.6%。据调研机构IC insighs预估,2017年全年3D闪存将大涨33%,此种涨幅历史上绝无仅有。


面对如此庞大的利润空间,各闪存厂自然积极扩产抢占份额。不过,这波扩产大潮也使得业内产生未来闪存供过于求的隐忧。未来存储行业能否脱离“赚一年赔三年”的惯性,关键是看明年以及之后供需格局如何演变。  


三星:扩产最有动力也最有实力


三星的3D闪存芯片(称作V-NAND)已经进化到了第四代,堆叠层数达到了64层,其带宽速率也达到了1Gbps的业内最高水平。不仅如此,新一代闪存芯片的能效水平也较前代产品提升了30%。


众多闪存厂商中,三星的技术优势最大,市场份额也最高,这波史无前例的闪存涨价潮也使三星集团整体大为受益,因此三星最有动力扩产,乘胜追击。


上月,三星坐落于韩国平泽的闪存工厂投入生产。该工厂耗资135亿美元建成,为迄今为止全球最大的,半导体工厂。平泽厂的投产无疑将使得三星V-NAND的出货能力大幅攀升,进而巩固三星的闪存霸主地位。后续,三星还将再投入125亿美元,以扩大平泽厂的生产规模。除此以外,三星还将在西安存储器工厂增加一条NAND产线,进一步充实生产能力。


三星新近建成投产的平泽半导体工厂


SK海力士:资本支出主要用于提升技术


技术上看,同为韩系厂商SK海力士倾向于打造高堆叠层数的3D闪存,以提高闪存颗粒的单位容量。截至目前,SK海力士量产的最先进3D闪存为72层堆叠,单以堆叠层数论是业内最高。不仅如此,SK海力士的96层3D闪存也在路上了,结构上看,这枚闪存芯片是由双48层闪存组合而成。


7月,SK海力士宣布今年将斥资86.1 亿美元,进行设备投资。这一金额比年初宣布数字高出 37%,也比该公司去年的设备投资总额高出 53%。SK海力士扩大资本支出,实是为了让新工厂提前完工,尽快抢占市场。据了解,生产NAND的韩国清州厂原定于2019年上半年完工,而追加资金则可提早至2018年内完成,由此节约半年时间。


除加快工厂建设进程外,SK海力士的资本投入更多将用于技术改进与研发,因此产能扩充有限,中短期内不会对市场造成冲击。


东芝:出售不耽误投资建厂


目前,东芝闪存业务出售事项依然悬而未决,其主要争端在于合作伙伴西部数据不同意东芝闪存在合作关系存续的情况下擅自决定出售。技术方面,东芝最新的64层堆叠闪存已经推出量产产品,主要是企业级SSD等。


此前,东芝也首先发布了四比特QLC闪存,有望在后期迅速降低3D闪存的生产成本并提升单闪存颗粒的容量。除此以外,东芝也开发出首款采用硅穿孔(TSV)技术的3D NAND Flash产品,相比传统采用打线接合的产品相比能耗更低。另据报道,东芝还宣称将在明年量产96层堆叠的3D闪存。东芝技术路线较为激进,又在闪存市场占有20%之多的市场份额,其后续动向足以对闪存业产生深远的影响。


据最新消息,东芝计划在日本岩手县兴建新闪存工厂。该厂计划2018年动工,2020年启用,总投资额达到90亿美元。由于跟西部数据关系破裂,东芝须独立出资或寻找新的合作伙伴,因此新工厂项目还存在很大不确定性。今年年初,东芝在日本四日市开工兴建6号厂,不过同样由于跟西数的合作破裂,以至于东芝必须独立解决后续17亿美元投资的资金问题。


从目前的情况看,东芝扩产的雄心虽大,但出售事宜使得该公司未来前途风雨飘摇。可以确定的是,东芝最后不论归谁,都会给存储行业巨大震动。


美光:急切扩大3D闪存量产规模


美光预计将在今年内量产64层3D闪存,这个进度相比三星、东芝等竞争对手慢了不少。不过,美光的技术特色在于超高的单位存储密度,其32层3D闪存便可做到256Gb(MLC)的水平,由此不难展望美光64层闪存的实力。


未来美光的战略目标是逐步扩大3D NAND的生产比重。预计今年底3D闪存将占所有闪存产量的75%;2018年这一占比将达到90%,届时仅留少量平面闪存产能以满足个别低阶需求。


综合:闪存大扩产 未来恐供过于求

                                                 

面对3D NAND缺货涨价的行情,各大存储厂商都积极扩产,唯恐先机被对手占去。未来两三年新建工厂全部投产后,3D闪存的市场供应量将暴增,届时需求面坚挺与否将直接决定3D闪存价格走势。


目前,已有相关业者对未来的行情表示担忧,调研机构IC Insights表示,由于厂商过度投资,3D闪存产能过剩的可能性“非常高”。   



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