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三星宣布5nm EUV工艺完成:明年可以投产
2019-04-16 标签: 三星  半导体  元件与制造 来源:快科技

继台积电后,三星也宣布了5nm工艺,而相应的生产线正在建设,预计2019年下半年完成,明年可以开始投入使用。今天三星宣布,已经成功完成了5nm EUV开发,并且相应的样品已经给客户送去,而由于加入了EUV(极紫外线光刻)技术,在更先进工艺制程加持下,可以让芯片拥有更好的功耗和性能。


(图自:Samsung Electronics,via Cnet)


那么新工艺下的表现是怎么样的呢?三星强调,5nm FinFET工艺技术可以让芯片功耗降低了20%(相较于7nm工艺),性能提高了10%,从而能够拥有更多创新的标准单元架构。


三星称,5nm的另一个主要优点是,让7nm客户过渡到5nm降低的迁移成本,缩短相应产品开发的时间。


此前,台积电宣布的情况是,的第一代5nm是他们第二次引入EUV技术,多达14层;而第二代7nm的EUV,只有4层规模。


随着格芯(GF)、联电的退出,目前能够做7nm以及更先进工艺晶圆的厂商就只剩下了三星、台积电和Intel,但Intel实际上并不和台积电直接竞争,因为其晶圆厂甚至连满足自家需求都还捉急,只是保不齐对手AMD会重金下单。

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