GlobalFoundries周四表示，它已经完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技术开发。这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。该技术可用于多种应用，包括汽车，工业级MCU和物联网（IOT）。 GlobalFoundries的几个客户已准备在今年用eMRAM推出其首批22FDX芯片。

与当今广泛使用的eFlash相比，eMRAM具有许多优势，它不涉及电荷或电流，而是使用磁存储元件，并依赖于读取由薄势垒分隔的两个铁磁膜的磁各向异性。该方法在写入数据之前不需要擦除周期，这意味着更高的性能。此外，可以使用现代工艺技术生产MRAM，并且具有很高的耐久性。该技术有一些缺点，最终将通过使用ReRAM的制造工艺来解决，但GlobalFoundries和三星Foundry认为MRAM在绝大多数应用中都具有巨大潜力。

GlobalFoundries表示，使用其22FDX和eMRAM工艺技术生产的测试芯片，在ECC关闭模式下，在-40°C到125°C的工作温度下，具有10万个周期的耐久性和10年的数据保持能力。此外，公司的eMRAM测试产品还可以通过标准可靠性测试，包括LTOL（168小时）、HTOL（500小时）和5x焊料回流，故障率<1ppm。此外，GlobalFoundries还解决了（依赖于磁存储元件的产品）的磁抗扰性问题。

GlobalFoundries在德国德累斯顿的Fab 1中使用22FDX技术生产这种芯片。这种差异化eMRAM部署在业界最先进的FDX平台上，在易于集成的eMRAM解决方案中提供了高性能RF，低功耗逻辑和集成电源管理的独特组合，使客户能够交付新一代的超高性能，低功耗MCU的物联网应用。