美国加州圣何塞 – 2016 年 3月 22日 — 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上发布了新一代100V  N沟道Power MOSFET旗舰产品——FDMS86181 100V屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET。  FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能够使需要100V MOSFET的电源、电机驱动和其他应用极大地提升效率、降低电压振铃并减弱电磁干扰（EMI）。

近25年前，Fairchild曾率先在PowerTrench MOSFET上取得了成功。新一代PowerTrench产品将会让我们继续处于MOSFET技术研发的最前沿，领先于竞争对手，并满足客户严苛的要求。

Fairchild副总裁兼iFET业务部门总经理Suman Narayan表示：“相对于此前产品，我们的新型100V N沟道FET已取得巨大进步。从能效到可靠性，新一代PowerTrench MOSFET系列产品在各个性能类别的表现几乎都优于竞争对手，堪称行业领先。”

新型FDMS86181的主要优点分别为：Rdson减少了40%，从而降低了导通损耗；最大程度降低栅极电荷（Qg），从而减少了开关损耗。FDMS86181极低的反向恢复电荷（Qrr）几乎消除了产生振铃的电压过冲隐患，这就允许在产品设计时少用或者不用缓冲器并降低电磁干扰（EMI）。 利用FDMS86181的这一独特优势，设计人员不但减小了产品的尺寸，同时还降低了物料（BOM）成本。

关于PowerTrench® MOSFET

100 V、150 V PowerTrench® MOSFET（Fairchild 的最新中压功率 MOSFET）是一款优化的电源开关，将较小的栅极电荷 (QG)、较小的反向恢复电荷 (Qrr) 和软反向恢复体二极管相结合，可在 AC/DC 电源的同步整流中实现快速开关。 最新的 100 V、150 V PowerTrench® MOSFET 采用具有电荷平衡功能的栅极屏蔽结构。 通过使用这一先进技术，这些器件的FOM（品质因数(QGxRDS(ON)))）比前代产品低66%。 新款 PowerTrench®MOSFET 的软体二极管性能可消除使用缓冲电路的必要或替代较高的额定电压 - MOSFET 需要电路，因为它可以将同步整流中的电压尖峰降至最低。 最新的 100V、150V PowerTrench® MOSFET 为设计师们提供机会，以显著提高同步整流应用中的系统效率和功率密度。

作为电源技术的领导者，飞兆将继续将功能、工艺和封装技术完美结合，迎接电子设计的挑战。 这些 MOSFET 是 Fairchild 全面的 MOSFET 产品组合的一部分，为设计师们提供广泛的击穿电压（-500 V 至 1000 V）、最先进的封装和业内领先的 FOM，在需要电能转换的应用中实现有效的电源管理。