八月初，立秋时节，夏蝉渐隐。俗话说：初侯凉风至。阵阵秋风带来了一丝凉意，但上周的存储业可谓火热十足，关于大陆大力发展存储，紫光和武汉新芯合并成立长江存储的话音刚落，三星就公布其要在年底量产64层的3D NAND，而另一家韩国半导体：SK海力士，不甘于落后局面，进一步强化3D NAND投资；而在不久前，东芝与西部数据合作增投NAND FLASH，并爆料要做64层3D NAND；在韩日争抢的同时，上周美国美光科技也在公布了自己的第一款48层堆叠的3D NAND，别看是第一款，其尺寸是业内最小的，容量更大。

IC君认为，美日韩相继争夺3D NAND，究其原因在于抢占未来市场的先机。

NAND闪存是一种非易失性存储技术，断电后仍能保存数据，随着智能机器人，可穿戴设备，无人机，物联网等发展，未来NAND闪存市场应用将十分广泛，但随着制程工艺的不断进步，传统的平面NAND，在容量提升，降低成本的同时，稳定性却在下降，这需要厂家采取其他措施，成本将上升，而最终将导致在未来某个节点将无法再提升的局面，为此，3D NAND很好的解决了这个问题，厂家只需堆叠更多层数就可以，目前主流堆叠层数不超过48层，而各家3D NAND所用的技术有不尽相同：

三星的V-NAND

三星很早就量产了3D NAND，目前已经发展到第三代，其优势在于采用自家的电荷撷取闪存设计（CTF），这种设计相比传统的浮栅极要容易些，且CTF结构是一种非平面设计，绝缘体环绕沟道，控制栅极又环绕着绝缘体层，这种3D结构提升了储存电荷的的物理区域，提高了性能和可靠性。

东芝 BiCS 3D NAND

东芝是闪存技术的发明人，很早就研发出BiCS技术的3D NAND，虽然市场份额没有三星大，但其技术依然强大，其优势在于采用BiCS技术的闪存核心面积最低，这样成本更低。

美光3D NAND

美光的3D NAND是几家中最晚发布的，但其优势在于采用FG浮栅极技术，TLC类型闪存核心容量384Gb，相比其他几家的256Gb，容量最大。

相比较而言，不难看出美光的技术实力，而且其和INTEL一起合作的3D XPoint，被誉为下一场的存储革命，据宣称比NAND速度快1000倍，寿命长1000倍，存储密度高10倍，无论是容量还是稳定性等方面都超过了目前的内存和闪存。而国内武汉新芯的3D NAND技术是Cypress收购的飞索半导体(Spansion)的技术，明年才可生产，据传堆叠最高到8层，与目前市场的32层有很大的差距，这也就是紫光一直不愿意放弃美光的原因。

在存储争夺火爆之时，IC君留意发现业内并购的新风潮----传感器。

在IC君看来，一般半导体厂商并购以增强自身的实力，比如：本月初艾迈斯（AMS）收购颜色和光谱传感专家MAZeT，以增强其在光电传感器领域的实力；或者扩充自身产品线的不足，比如：本月初，北京君正拟收购豪威科技（OmniVision），填补CMOS传感器产品；上周日本TDK收购了MEMS传感器制造商Tronics，以扩张在温度、压力传感器方面的产品线；再或者将实力不强的业务进行转让，比如：ST以约1亿美元收购AMS的NFC和RFID专利、技术、产品及业务。（这笔收购对ST而言是很划算的，随着时下Apple Pay， Sumsung Pay等各种Pay的兴起，这种便利快捷的体验，将使NFC技术应用日益增多，而未来移动设备，智能穿戴，金融，物联网等方面可能都将普及这种更安全便利的应用技术，这将会让ST最终受益）；但像日本瑞萨直接宣传退出微波半导体业务，专注于光器件，的确不多见，这也间接反映出瑞萨在微波半导体业务没有太多的竞争力(无法转售该业务)，而受脱欧影响，日元汇率的升高，加上自身盈利偏弱，砍掉到也在合理之中。

随着物联网的到来，传感器市场势必将日益火热，增强实力，抢占先机，将是未来传感器厂商的发展的主要方向。

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