东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V／650V超结N沟道功率MOSFET，该产品适用于工业和办公设备。该新“DTMOS V系列”最初将提供12款产品。样品发货即日启动，批量生产发货计划于3月中旬启动。
该新系列拥有与东芝当前的“DTMOS IV系列”相同水平的低导通电阻、高速开关性能，同时，其优化的设计流程使EMI性能提升约3至5dB。而且，降低的单位面积导通电阻（RON x A）性能使新的650v 0.29Ω产品可使用DPAK封装。该新系列产品适用于需要高效率和小体积的工业和办公设备电源、笔记本电脑和移动设备适配器和充电器以及电脑和打印机。
新MOSFET产品阵容及主要规格：
|
产品型号
|
封装
|
绝对最大额定值
|
RDS(ON)
最大值
（Ω）
@VGS=10V
|
Qg典型值
（nC）
@VDD=400V
VGS=10V
ID=最大额定值
|
Ciss Typ.
（pF）
@VDS=300V
VGS=0V
f=100kHz
|
|
VDSS （V）
|
ID （A）
|
|
TK290A60Y
|
TO-220SIS
|
600
|
11.5
|
0.29
|
25
|
730
|
|
TK380A60Y
|
TO-220SIS
|
600
|
9.7
|
0.38
|
20
|
590
|
|
TK560A60Y
|
TO-220SIS
|
600
|
7.0
|
0.56
|
14.5
|
380
|
|
TK290P60Y
|
DPAK
|
600
|
11.5
|
0.29
|
25
|
730
|
|
TK380P60Y
|
DPAK
|
600
|
9.7
|
0.38
|
20
|
590
|
|
TK560P60Y
|
DPAK
|
600
|
7.0
|
0.56
|
14.5
|
380
|
|
TK290A65Y
|
TO-220SIS
|
650
|
11.5
|
0.29
|
25
|
730
|
|
TK380A65Y
|
TO-220SIS
|
650
|
9.7
|
0.38
|
20
|
590
|
|
TK560A65Y
|
TO-220SIS
|
650
|
7.0
|
0.56
|
14.5
|
380
|
|
TK290P65Y
|
DPAK
|
650
|
11.5
|
0.29
|
25
|
730
|
|
TK380P65Y
|
DPAK
|
650
|
9.7
|
0.38
|
20
|
590
|
|
TK560P65Y
|
DPAK
|
650
|
7.0
|
0.56
|
14.5
|
380
|
欲了解更多关于新产品和东芝中高电压功率MOSFET产品阵容，请访问：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/hv-mosfet.html