东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET,该产品适用于工业和办公设备。该新“DTMOS V系列”最初将提供12款产品。样品发货即日启动,批量生产发货计划于3月中旬启动。
该新系列拥有与东芝当前的“DTMOS IV系列”相同水平的低导通电阻、高速开关性能,同时,其优化的设计流程使EMI性能提升约3至5dB。而且,降低的单位面积导通电阻(RON x A)性能使新的650v 0.29Ω产品可使用DPAK封装。该新系列产品适用于需要高效率和小体积的工业和办公设备电源、笔记本电脑和移动设备适配器和充电器以及电脑和打印机。
新MOSFET产品阵容及主要规格:
产品型号
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封装
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绝对最大额定值
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RDS(ON)
最大值
(Ω)
@VGS=10V
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Qg典型值
(nC)
@VDD=400V
VGS=10V
ID=最大额定值
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Ciss Typ.
(pF)
@VDS=300V
VGS=0V
f=100kHz
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VDSS (V)
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ID (A)
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TK290A60Y
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TO-220SIS
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600
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11.5
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0.29
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25
|
730
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TK380A60Y
|
TO-220SIS
|
600
|
9.7
|
0.38
|
20
|
590
|
TK560A60Y
|
TO-220SIS
|
600
|
7.0
|
0.56
|
14.5
|
380
|
TK290P60Y
|
DPAK
|
600
|
11.5
|
0.29
|
25
|
730
|
TK380P60Y
|
DPAK
|
600
|
9.7
|
0.38
|
20
|
590
|
TK560P60Y
|
DPAK
|
600
|
7.0
|
0.56
|
14.5
|
380
|
TK290A65Y
|
TO-220SIS
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650
|
11.5
|
0.29
|
25
|
730
|
TK380A65Y
|
TO-220SIS
|
650
|
9.7
|
0.38
|
20
|
590
|
TK560A65Y
|
TO-220SIS
|
650
|
7.0
|
0.56
|
14.5
|
380
|
TK290P65Y
|
DPAK
|
650
|
11.5
|
0.29
|
25
|
730
|
TK380P65Y
|
DPAK
|
650
|
9.7
|
0.38
|
20
|
590
|
TK560P65Y
|
DPAK
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650
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7.0
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0.56
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14.5
|
380
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欲了解更多关于新产品和东芝中高电压功率MOSFET产品阵容,请访问:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/hv-mosfet.html