【导读】近期SK 海力士推出72层堆叠NAND。至此，国际存储大厂都已研发出自己的64层及以上的新一代3D闪存芯片。随着各家产能将在今年下半年开始逐步放量，未来NAND市场有望迎来供求拐点。对后起的中国来说，必须抓住行业景气的机会做大做强本土存储产业。
近一年来存储器持续涨价，各大存储厂商都收获了不错的业绩，也更有动力推广3D NAND闪存以满足庞大的市场需求。继三星、东芝等厂家宣布64层3D NAND闪存之后，又一家韩系大厂SK 海力士也在日前发布了全球堆叠层数最多的72层NAND闪存。
SK 海力士的72层NAND闪存相比现在的48层芯片读写性能提升20%，不过其核心核心容量仅为256Gb (TLC)，比起三星的64层堆栈的512 Gb差距明显。据了解，新款72层闪存将在今年下半年投产，而512 Gb核心容量的闪存芯片也在路上了。
随着世界主要存储厂商均向64层及以上闪存转进，长期上看市场供求紧张的情况终将迎来转折；但短期之内，新技术投产良率不足、市场需求庞大等因素将使闪存芯片缺货涨价的态势延续。
海力士新发布的72层堆叠NAND闪存【图：百度】
转进3D NAND 厂家路径各异
2D NAND闪存和3D NAND闪存之间的关系可简单类比为“盖平房”与“盖楼房”。由于平面排列的潜力已达极限，闪存芯片必须利用垂直空间实现立体堆叠，方可进一步扩大容量。目前，各大厂商都在重点发展3D闪存，其堆叠层数越来越多，核心容量也越做越大。然而，转进3D的过程势必影响产能、减少供给，这会使本就捉襟见肘的市场供给再度缩水。
三星在NAND闪存芯片的市场份额达到36%，是闪存业内最强势的厂家。三星3D NAND闪存从32层堆叠开始量产，至目前已达到48层堆叠闪存，核心容量256 GB (TLC)。下半年，三星将在位于韩国的平泽厂投产64层堆叠的NAND闪存。据了解，四代3D 闪存拥有512Gb 核心容量，核心的数据传输速度可达100MB/S，初期将会应用于企业级SSD产品上。
前不久，东芝/西数阵营也发布了自己的64层堆叠的NAND闪存，其核心容量为256 Gb (TLC)，并正朝512 Gb进展。目前，东芝深陷财务减记漩涡，正欲出售存储业务以弥补财务亏空。据最新消息，由于合作伙伴西数的反对，东芝被迫取消出所有关于出售存储业务的商讨和决定。若东芝存储的出售遭到搁置，那么NAND市场的供应面恐受新的打击。
美系的美光/英特尔阵营目前量产的3D闪存芯片为32层堆叠，其核心容量可达到256 Gb (TLC)。据悉，美光/英特尔阵营也将于今年9月之前量产最新的64层堆叠的3D NAND闪存。
当前NAND闪存是主流的存储芯片，不过在未来，新兴存储器有望得挑战NAND闪存的优势地位。美光/英特尔阵营现已研发出3D XPoint存储芯片，且已经有存储产品推出。相比NAND闪存，3D XPoint的读写性能极强，容量密度也可以做到更大。但现阶段，3D XPoint单位容量的成本非常高，想要大面积铺开尚待时日。
英特尔的3D XPoint内存产品“傲腾(Optane)”【图：英特尔官网】
坚定自主 本土NAND产业大举投资
随着物联网、汽车电子等产业的兴起，NAND闪存的需求将越来越大，对科技产业迅猛发展的中国来说更是如此。有数据预测，2017年中国将消耗占全球30~40 %数量的NAND闪存，然而NAND闪存领域的话语权都掌握在外国厂商手中，所以存储器国产化显得尤为重要。
目前，国内存储器产业已经迈开了追赶步伐。2016年，紫光旗下的长江存储投资240亿美元启动武汉存储器基地的建设，专攻3D NAND闪存。长江存储计划在2017年底提供32层3D NAND的样本，之后研发64层闪存芯片，技术成熟后开启量产，最终的目标是在2020年达到月产30万片的水平。届时，国产NAND芯片将与三星、东芝等国际大厂的技术差距缩短至一代以内。可以预见，本土3D NAND闪存成规模后不仅能够满足国内需求，也会影响全球闪存供应格局。
总结：NAND闪存涨势依旧 存储类产品成为IC市场“主力军”
进入2017年，三星、东芝、SK 海力士等国际大厂均已研发出各自的64层及以上堆叠的NAND闪存，且都会在年内投入量产。然而，3D NAND堆叠层数越多，工艺的难度也就越大，所以初期的量产不会很顺利。目前，PC和手机产业的需求并没有减少，所以NAND闪存缺货涨价的态势还延续。调研机构IC Insights预估，2017年NAND闪存的平均单价将会大涨22%。
由于存储器市场景气，IC Insights将2017年全球IC市场规模年增率预估由先前的5%大幅上调为11%。若排除存储器的提振作用，那么本年度的IC市场扩大率仅为4%，由此可见，存储类产品成为IC市场规模扩张的“主力军”。那么对国内存储产业来说，必须抓住这轮行业景气的机会，持续加大投资，尽可能地将本土存储业做大做强。
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