三重曝光的高动态范围(HDR)确保捕捉同一场景的强光和弱光区域的细致图像

2017年10月27日 – 推动高能效创新的安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ON）推出一款全新的1/2.7英寸、230万像素(Mp) CMOS数字图像传感器，采用1936H x 1188V有效像素阵列。AR0239不单能够在具挑战性的强光和微光下生成非常清晰及鲜明的数字图像，还能够捕捉连续视频和单帧图像，是安防和监控成像系统、随身带相机以及车载DVR（行车记录器）等应用的理想之选。

AR0239具有出色的微光拍照性能、增强的近红外(NIR)量子效率(QE)及捕捉高动态范围场景功能等重要特性。高灵敏度的3微米(μm) x 3 μm背照式(BSI)像素技术配合改进的NIR工艺，包括安森美半导体的DR-Pix™技术，使其敏感度和QE比上一代器件分别提高21%和10%。

该传感器具有各种精密的相机功能，如像素相加(binning)和阵列框选(windowing)，它的片上模数转换器(ADC)支持10位和12位架构。使用串行接口在线性模式下运行时，该器件可实现完全兼容HiSPi/MiPi的高清晰度(HD)，90fps下的分辨率高达1080p，具有卓越的视频性能。以高达30fps运行时，可实现两重或三重曝光1080p HDR输出。

经过优化的AR0239，易用于设计中，并提供多摄像机同步功能，简化了更复杂的设置。采用iBGA封装提高这款新的图像传感器在高温和高湿度下的工作性能及稳定性和可靠性。该器件的工作温度范围为-30C至+85C，符合工业应用规格。

安森美半导体消费方案分部副总裁兼总经理Gianluca Colli表示：“当今世界上一些发展迅速的重要成像应用中，富挑战的混光场景为典型。安防和监控成像应用是其中最明显的，因为涉及安全、安防乃至人身安全都取决于所采用的图像传感器技术的性能。AR0239能在强光和微光并存的同一应用场景中捕捉非常清晰、细致及鲜明的图像。这款功能强大的器件成为富挑战应用中的视觉技术的一大进步。”

AR0239采用9 mm x 9 mm iBGA-63封装。工程样品现已上市，计划于2017年11月量产。如需订购样品，请联系安森美半导体销售代表。

关于安森美半导体安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案，提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，一套强有力的守法和道德规范计划，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。