近日，本土NAND供应商长江存储位于武汉的生产基地开始安装芯片生产机台，由此该基地的工作重点正式从厂房建设转向投产准备。预计今年年底，武汉NAND基地将小规模量产32层3D NAND芯片。目前，长江存储也获得了第一笔订单：总计10776颗闪存芯片，将用于8GB USD存储卡产品。

国产闪存取得“零度突破”，确实振奋人心，加上此前紫光内存也投入量产，今年确实是本土半导体的大年。现阶段，国际存储器市场依旧处在景气周期，不论是内存还是闪存总体上均供不应求。国产存储器的量产，无疑将会推升供给端，并有潜力逆转当前的供求形势。对美日韩大厂来说，单边上涨行情的趋弱甚至终结，标志着以往“躺赢”的日子一去不复返。

存储器市场内需庞大 本土厂商填补势在必行

现阶段，智能手机依然是对存储器需求最大的产业领域。尽管智能手机面对增长瓶颈，但该产业所消耗的DRAM和NAND闪存不论是规格还是数量均占大部。特别是近年来国产手机品牌崛起，所掀起的配置大战更是进一步推升了国内存储器市场的需求量。

此外，人工智能、联网汽车等应用同样需要快速且大容量的存储器，随着这些产业迅速崛起，DRAM和闪存的需求也随之水涨船高，发展到与手机行业争产能的地步。由于众多诸多需求井喷，存储器自2016年下半年起便掀起狂热的涨价潮，直接成就了三星、SK海力士及美光等供应商的出色业绩。

然而事情的另一面，却是本土IC产业在存储领域长期缺位，根本吃不到这轮产业红利。更深入看，存储器作为战略级别的元器件，其核心科技掌握在美日韩厂商之手，对国家安全、产业安全十分不利，因此发展本土存储产业，其必要性不言而喻。

四大本土厂商启动自主进程

目前我国主要有四大厂商攻坚存储芯片，以提高本土芯片自给率，保障国家安全及产业安全。

首先提及的就是即将量产的长江存储。通过不懈努力，长江存储于去年9月提前完成厂房封顶工作，今年4月又提前20天实现了生产机台迁入，预计今年年底即可量产32层NAND。下一个目标，长江存储还要攻克64层NAND，尽量追赶美日韩厂的先进水平。

再看DRAM。目前，合肥长鑫宣布其12寸生产基地的300台设备基本到位，装机后预计下半年投入试产。按照规划，合肥长鑫将在今年年底启动生产8G DDR4工程样品；2019年2019年底实现单月产能2万片；2020年开始规划二厂建设；2021年完成17 nm技术研发。

在合肥还有另一家存储厂商兆易创新也投入DRAM。目前兆易创新正研发19 nm DRAM，预计今年年底前研发成功实现试产良率不低于10%。相较NAND，高制程DRAM技术难度有过之无不及，三星等厂商均经历了一段阵痛期才进化到18 nm的水平，因此对合肥长鑫和兆易创新，也唯有报以期待。

在DRAM领域，一支力量，即福建晋华。相比前述厂商攻坚标准型和移动型产品，晋华选择的是32nm 利基型DRAM，此类产品用于路由器、机顶盒等设备，其研发门槛较低，市场也较小，面对的竞争较为平和，因此相对容易成功。

存储器供应形势生变局

自2016年下半年，存储器总体上处于涨价周期，美日韩厂商均有巨额盈利。为博取更大利润，三星、SK海力士及东芝等厂都开启了扩产计划，这些新增产能预计2019至2020年陆续开出，而原有供不应求的市场形势也有望回归供求同步增长的理性格局。

实际上，随着目前淡季效应显现，NAND闪存自开年起便呈现小幅供过于求的行情，而DRAM则继续保持景气。预计下半年电子产品旺季，存储器才重回紧俏行情。

不过，随着本土存储厂商打入供应端，很难再判断存储器的火热能否再延续一年乃至数年。目前，长江存储所主打的32层闪存严重落后，对市场影响有限，但其64层闪存投产后，就会产生可观影响。综合国际厂商扩产及本土厂商的增产，预计2019年起闪存市场将出现供过于求的情况，届时闪存涨价趋于缓和甚至终结，供应商“躺赢”获利的局面也不复存在。

至于DRAM，标准型、移动型和服务器用内存均保持稳步增长，而厂商扩产又主要集中于3D NAND，因此供不应求将贯穿本年度，并将延续至2019年。由于先进制程DRAM开发难度极大，本土供应商短期内无法挤进供给端，加之美韩厂商扩产有限，因此DRAM的行情将会比NAND坚挺。

前景：利用内需完成供给替代

目前，中国已发展成世界上最大的存储器消费市场，但本土存储产业的空白，使得如此庞大的市场尽被国际大厂瓜分。对本土IC产业来说，亟待打破困局。

综合看，美日韩厂技术本就先进，又不断发展，本土厂商追赶的难度可想而知，也正是因此，本土存储势力才需投入更大人力物力，争取早日研发出高端存储器。战略上，本土存储器的成功离不开广大的内需市场。政府牵头通过产业补贴等各个途径，利用内需逐步完成供给替代，才是最终的解决之道。

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