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长江存储研发128层QLC闪存 将启动二期工程:3倍产能提升
2020-06-03 标签: 存储  元件与制造 来源:快科技

2019年,中国公司卖出了3D闪存国产化的关键一步,开始量产64层堆栈的闪存,目前还在扩张产能。接下来长江存储今年将会启动国家存储器基地二期工程,建成后产能将达到30万片晶圆/月,是一期工程的3倍,将大幅提升国产闪存的产能。


2016年3月28日国家存储器基地正式在武汉启动,当时由武汉新芯科技主导,不过7月26日,总投资约1600亿的长江存储科技有限责任公司正式成立,武汉新芯将成为长江存储的全资子公司。


2017年底长江存储研发出了国内首个3D NADN闪存,32层堆栈,不过产量比较少,主要用于U盘、存储卡等产品。


2019年9月份,长江存储宣布量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,这是中国首款64层3D NAND闪存。



今年4月13日,长江存储重磅宣布,其128层QLC 3D闪存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控厂商SSD等终端产品上通过验证。


按照长存的说法,这款产品的独特之处在于,它是业内首款128层QLC规格3D NAND,且拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。


目前长江存储正在不断提升产能,今年底的目标将达到10万片晶圆/月的产能,这也是整个国家存储器基地一期工程的目标。


在一期工程进入尾声的时候,今年内长江存储将会开始国家存储器基地二期工程建设,建成后产能将达到30万片晶圆/月,意味着国内闪存的产能三倍增长,有助于提高市场占有率。


2019年底全球闪存月产能大概是130万片晶圆,考虑到未来的发展,国家存储器基地二期工程建成的时候,意味着长江存储有可能占据全球20%的产能,这个份额不低了,足够让长江存储跻身全球TOP3闪存供应商行列。



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