在去年开始量产 128 层的第六代 NAND 闪存芯片之后，三星又在两个月前宣布研发 160 层的 NAND 闪存芯片。现在援引韩媒报道，这家韩国芯片巨头已经成立了一个专家组，以提高其闪存芯片的生产良率。

图片来自于 三星官网

据悉，该小组有来自三星设备解决方案(SDS) 制造技术中心的专家、以及负责 NAND 闪存生产的高管。新的团队将解决芯片生产过程中出现的任何问题，并实施提高整个流程生产效率的步骤。

目前在 128 层 V-NAND 闪存芯片生产方面，三星面临着英特尔和YMTC(长江存储技术有限公司)等公司的激烈竞争，因此公司希望确保工艺是行业内最高效的，并提高生产良率。公司还在投资扩大内存芯片的产能。

韩国芯片巨头采用的是通道孔蚀刻技术，从上到下穿孔叠加128层。这提供了层与层之间的电连接。层数越高，内存容量越大。单堆叠法表示一次穿孔的工艺，三星在生产第6代NAND闪存芯片时采用了这种方法，以提高价格竞争力。还有一种双层叠加法，就是分两步穿孔，但成本高达30%以上。

据称，与穿透96层NAND闪存芯片相比，穿透128层NAND闪存芯片所需的时间是其两倍。三星的新任务组将努力克服尽可能多的限制，形成更大的技术壁垒。这是三星“Super Gap”计划中的重要一环，希望通过巨大技术优势让竞争对手无法追赶。