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跳票三年 三星 3nm GAA 工艺 2024 年才能量产:大战台积电 2nm
2021-07-01 标签: 三星  半导体  元件与制造 来源:快科技

日前三星联合 Synopsys 宣布 3nm GAA 工艺已经流片成功,这是全球首个 GAA 晶体管工艺流片,意义重大。然而三星并没有透露 3nm GAA 工艺何时量产,这是最关键的部分。



日前有分析师援引高通高管之前的一个表态,认为 2023 年才会有 3nm GAA 工艺的芯片问世,但更现实的时间点是 2024 年,也是说要到 3 年后才能量产。


三星早在 2019 年公布 3nm GAA 工艺的 PDK 规范时就表示,预计 3nm GAA 工艺会在 2020 年底试产 ,2021 年量产——现在来看,三星太乐观了 ,3nm GAA 工艺跳票了三年时间。



往好的方面看 ,3nm 工艺用上 GAA 晶体管技术之后,变化还是值得期待的,与 5nm 制造工艺相比,3nm GAA 技术的逻辑面积效率提高了 35% 以上,功耗降低了 50%, 性能提高了约 30%。


坏消息是,三星 3nm GAA 工艺假如拖到 2024 年才能量产,那时候台积电的 2nm 工艺也差不多量产了,同样用上了 GAA 晶体管技术,三星超越台积电的愿望恐怕要收到打击了。

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