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武汉新芯12寸DRAM厂 28日动工
2016-03-22 标签: 武汉新芯 来源:电子信息产业网

武汉新芯28日将举行旗下首座十二寸DRAM厂建厂动工仪式。武汉新芯受官方资金与国家集成电路产业发展基金(大基金)支持,向全球宣示建立自主记忆体技术与制造的决心。


这是继紫光集团进军集成电路领域、酝酿收购多家国际大厂之后,大陆于集成电路领域又一次大动作布局。武汉新芯此十二寸DRAM厂建厂,是国内首度凭藉自有资金的记忆体晶片建厂案,牵动全球记忆体板块移动,业界高度关注 。


业界人士指出,先前国内业者进军LED、面板、触控等产业,在官方资源撑腰下,大举扩产,使得这些产业都陷入杀价竞争、供过于求的窘境。


武汉新芯进军DRAM产业,大举建厂,加上紫光和合肥市政府后续也都有意盖DRAM厂,反映了力攻记忆体的旺盛企图心,是否会让DRAM产业重蹈LED、面板、触控的覆辙, 使市场陷入红海,对南亚科、华邦等台湾厂商造成影响,不容小觑。


据悉,武汉新芯稍早也曾争取与三星、SK海力士及美光等大厂技术合作,但未获三大厂同意,武汉新芯因而改采自主研发与盖厂方式进行。


DRAM专业研调机构集邦科技表示,武汉新芯成立于二○○六年,是湖北省与武汉市的重大战略投资项目,先前曾与国内晶圆代工龙头中芯国际一起营运中芯旗下的一座十二寸厂。随着中芯二○一三年退出合作,武汉新芯独立为单一公司,由武汉市政府负责,经营团队多具备国际半导体公司历练背景


集邦汇整的资料显示,武汉新芯仍持续主导从中芯手中接下的十二寸厂生产,目前主要品以编码型快闪记忆体(NOR Flash)为主,并进军3D NAND晶片技术研发,未来将打造至少二座以上十二寸晶圆厂的中国记忆体晶片制造基地。


武汉新芯后来并获得国家大基金支持,将筹资二百四十亿美元(约新台币七千八百亿元),长期建立月产能高达卅万片的十二寸厂,生产DRAM、NAND Flash等关键记忆体产品。





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