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国产64层3D闪存量产提速 应对华为面临的断供风险
2019-06-06 标签: 存储  元件与制造 来源:快科技

由于被美国商务部制裁,华为的供应链面临断供的风险,特别是美国公司的芯片及软件,除了CPU、射频、网络芯片之外,华为的闪存芯片也会受到压力,智能手机、服务器、基站等产品中都会用到大量NAND闪存。


目前全球的NAND闪存主要掌握在三星、东芝、西数、SK Hynix、美光、Intel等六家公司中,其中美光、Intel、西数是美国公司,但他们的NAND闪存在全球占比相对较小,主要闪存供应还是三星、东芝、SK Hynix,此前东芝公司也否认对华为断供,韩国公司断供可能性也不大,所以华为NAND闪存供应暂时没有风险。



但是为了应对极端情况,华为也在准备国产闪存的备胎计划,消息称华为已经要求国内的长江存储提前量产64层堆栈的3D TLC闪存,以备不时之需,不过长江存储目前尚未证实或者否认此事。


在NAND闪存领域,国内投入力量最大的就是长江存储,2016年在武汉斥资240亿美元建设国产NAND存储芯片基地,去年已经开始少量生产32层堆栈的3D闪存,预计今年底投入64层3D闪存的量产工作。其中风险试产预计三季度启动,目前良率已经实现了显著爬升。


由于华为事件爆发,长江存储的闪存量产计划可能会提前,这对国内公司来说也是一次机遇。


根据长江存储之前的消息,64层堆栈是今明两年生产的主力,再下一代则会直接进入128层堆栈,跳过了三星、美光、东芝、Intel等公司现在力推的96层堆栈闪存,这几家公司预计在2020年才会推出128层堆栈的闪存。


在闪存技术方面,去年长江存储推出了Xtacking结构的3D NAND闪存技术,该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。今年8月份将会推出Xtacking 2.0闪存技术,Xtacking依然会不断进化中。

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