美光本周宣布，其已开始提供业界首个集成了 LPDDR5-6400 动态随机存储器（DRAM）和 96 层 3D NAND 闪存的多芯片封装（MCP）样品。对于需要快速 DRAM 和高性能存储的 5G 中端智能机等产品来说，该公司的 uMCP5 产品可提供上佳的解决方案。

资料图（来自：Micron）

据悉，美光 uMCP5 器件打包了双通道的 12GB LPDDR5-6400 运存、以及 256GB 的 UFS 存储（96 层 3D TLC NAND + 板载控制器）。

完整的 uMCP5 芯片采用了标准的 297 引脚和 BGA 封装，其中 LPDDR5 芯片采用该公司的第二代 10nm 工艺打造，但美光尚未就 NAND 部分作出评论。

随着业界对 LPDDR5 和更高性能的存储器件的需求变得日渐旺盛，智能手机制造商可借助美光 uMCP5 器件，极大地减少对机身空间的占用。

此外随着 5G 的普及，移动设备对数据吞吐有着更高的需求，摄像头和屏幕参数亦有望迎来飞速的增长，但这对数据存储和加载也提出了更高的要求。

该公司称，其 uMCP5 方案较两块独立的 RAM / ROM 存储芯片减小了 40% 。同时与上一代方案相比，新器件的容量和带宽也增加了 50% 。

最后，除了 5G 移动设备，美光 uMCP 方案对于高端 4G / LTE 智能机的意义也同样重大。目前该公司正在向某些合作伙伴提供样品，预计最终产品将很快与大家见面。