1. 预测：IGBT或将在今年Q3达到供需平衡

据科创板日报引述DIGITIMES asia调研，尽管汽车IC短缺普遍得到缓解，但功率半导体器件的需求量仍然很大。DIGITIMES Research分析师David Ma表示，IGBT可能会在2023年第三季度达到供需平衡。

2. 台积电多客户第二季度砍单加剧，预期营收转跌

据科创板日报引述中国台湾电子时报，台积电大客户联发科与苹果第2季砍单力道增强，而受惠ChatGPT热潮的英伟达，也因客户新单缩手，下半年在台积电订单增幅也未如预期爆发。

台积电16/12nm产能利用率更由Q1的近8成大跌至Q2的5成，而原本期待的英特尔、英伟达订单规模均不如预期。市场预估台积电第2季营收将续跌，而下半年虽有iPhone新机推出，以及全年大涨6%代工报价支撑，但其他大客户转趋保守下，全年营收力拼小幅成长的目标难度不低。

3. 分析师：三星电子芯片业务一季度将亏损3.3万亿韩元

据TechWeb引述外媒报道，随着消费电子产品需求下滑趋势的继续，三星电子的存储芯片业务也就依然面临着业绩上的压力，分析师预计三星电子的芯片业务部门，在今年一季度将时隔14年再次出现亏，金额会是3.3万亿韩元，也就是约25亿美元的亏损。

这位分析师预计，在三星电子的芯片业务中，DRAM和NAND闪存的出货量，在一季度预计将环比分别下滑13%和12%，同时由于需求放缓，代工业务的利润预计也将环比下滑。

4. 韩国2月半导体产量环比下降17.1%

据IT之家报道，韩国统计厅周五公布的数据显示，韩国2月半导体产量环比下降17.1%，为逾14年来最大降幅。

韩国统计厅有关人士表示，从去年下半年开始，全球对存储芯片的需求减弱，最近系统半导体的产量也有所下降。由于全球芯片需求的减少，韩国经济面临着更大的困难，上季度已经出现了负增长。

5. 铠侠与西数联合公布218层NAND闪存技术细节

据快科技报道，西部数据、铠侠联合宣布了下一代3D NAND闪存的一些技术细节，这次堆叠到了218层。新闪存包含四个平面，应用了先进的晶圆键、横向收缩技术，并在横向收缩、纵向收缩方面取得平衡，存储密度比上代提升超过50%，达到了1Tb。

值得一提的是，西数、铠侠开发了新的CBA技术，也就是将CMOS直接键合在阵列之上，每个CMOS晶圆、单元阵列晶圆都使用最适合的技术工艺独立制造，再键合到一起，从而大大提升存储密度、I/O速度。该技术具有跟长江存储晶栈Xtacing 3.0技术类似的观感。