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【芯资讯】三星拟对闪存涨价、瑞萨澄清推迟加薪及裁员消息
2024-03-15 标签: ICNET  半导体  存储 来源:ICNET网络整合

1.传三星启动价格谈判,拟对闪存再涨15%-20%

据IT之家引述韩媒相关报道,三星计划在本月至下月同主要移动端、PC端及服务器端客户就NAND闪存价格重新谈判,目标涨价15%-20%。行业消息人士表示,一季度三星、SK 海力士与大客户之间的合约价格磋商仍无成果。不过NAND闪存临时交易价格一直在上涨,部分品类价格已高于2022年1月水平,市场仍然弥漫着减产带来的不安情绪。

据TrendForce集邦咨询近期研报,在供应链库存水位已大幅改善、价格仍处于上涨周期的态势下,一季度下游客户为避免供货短缺及成本垫高的风险,将持续增加NAND闪存采购订单。



2.传三星HBM内存良品率仅至20%,远低于竞品

据快科技引述相关报道,在当前的HBM市场,SK海力士占据了54%的份额,而三星因良率偏低而落后于前者。传闻HBM3芯片的良品率仅在10%-20%,而SK海力士则是60%-70%。

据称,为了弥补这一不足,三星正在采购芯片制造商使用的机器和材料,用环氧树脂填充内存芯片层间的缝隙。投资者也注意到三星在HBM竞争中处于不利的局面,三星今年以来股价累计下跌了7%,而SK海力士和美光估计分别上涨了17%和14%。



3.慧荣:存储器产业迎好年,NAND闪存反弹更强

NAND闪存控制芯片大厂慧荣科技总经理苟嘉章指出,2024年NAND闪存及DRAM报价有望一路上扬,存储产业将迎来好年。内存原厂未来即使增产,也会是有节制的增产,使内存供需维持平衡的状态。

他还预测,原厂第一季就会有业者赚钱,第二季大部分业者都会获利,NAND闪存和DRAM会回到健康库存水位;因NAND闪存之前价格跌幅高达70%,其2024年的反弹幅度会比较大一点。苟嘉章预期2024年慧荣各产品线将全面性持续成长,主要来自于模块厂客户赢得更多的新案,以及NAND大厂客户赢得重要设计案。



4.三星与SK海力士将率先量产LPDDR6内存

据快科技引述相关报道,三星和海力士将会率先量产LPDDR6内存。目前这两家公司希望尽快获得LPDDR6 RAM认证,业内人士表示,一旦获得JEDEC批准,三星和海力士就会准备量产。

三星希望能赶在骁龙8 Gen4之前量产LPDDR6内存,届时骁龙8 Gen4旗舰会率先搭载LPDDR6。LPDDR6的高速度和低功耗特性,将会加速AI应用的落地和普及,它不仅能更好地满足复杂计算和实时数据处理的需求,还将进一步释放AI的潜力。



5.瑞萨执行推迟加薪,并启动裁员

3月12日,瑞萨公司针对日经新闻所报道的延迟加薪和裁员信息做了澄清。在声明中,瑞萨指出已决定将今年绩效提升的实施时间推迟6个月,至2024年10月。这适用于所有全球员工,包括管理团队。

对于裁员,在2023年11月,考虑到预期的持续市场疲软,瑞萨对未来投资和业务重点进行了彻底审查,并决定在所有地区有限度地缩减岗位。全球受影响的员工人数只有数百人(相当于总数的1%-2%),其中日本不到20%。这项措施从2023年11月开始实施,遵循所有当地流程,确保员工受到最大的尊严和尊重。



6.意大利要求意法半导体加大投资

据外媒SemiMedia引述相关报道,意大利政府因认为意法半导体(ST)的投资对法国更有力,故而要求ST对意大利加大投资份额。根据一份公司文件,意大利和法国政府分别通过罗马财政部和法国公共银行Bpifrance SA持有一家控股公司50%的股份,后者本身拥有意法半导体27.5%的股份。

据知情人士透露,意大利对ST首席执行官Jean-Marc Chery所执行的组织部门架构变更不满。被裁撤的汽车部门主要由意大利人领导,其中包括后来离开公司的高管Marco Monti。



7.Arm面向汽车应用发布其高性能Neoverse级芯片设计

3月13日,Arm公司宣布首次将基于Armv9的技术引入汽车领域,使行业能够利用最新一代Arm架构提供的人工智能、安全和虚拟化功能。Arm将服务器级Neoverse技术以及新的基于Armv9的Cortex-A产品引入汽车,以实现可扩展性。

Arm CSS for Automotive将提供Arm AE IP的预集成和验证配置,该配置使用领先的铸造工艺针对性能、功率和面积进行了优化。Arm的第一个汽车CSS预计将于2025年交付。

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