今年第二季度与第三季度的存储器市场，简单概括起来就是格局颠覆、市场重塑。巨头座次重排、旧技术意外翻红、大厂发起重要转型，都发生在最近的短暂时间内。这场由AI驱动的产业转折，与半导体供应本地化相叠加，将带来剧烈的存储器版图重构。

AI市场决胜：SK海力士登顶，三星跌落王座

存储器市场的重大转折出现。2025年第二季度，SK海力士以21.8万亿韩元的存储销售额超越三星（21.2万亿韩元），成为全球最大存储制造商。其财报数据耀眼夺目，营收同比暴涨35%，营业利润飙升69%，净利润增长70%，均创历史新高。

在AI应用的不断渗透之下，高带宽内存（HBM）的技术霸权成为决定因素。SK海力士凭借62%的HBM市场份额（三星仅17%），尤其是2024年率先量产HBM3E并绑定英伟达供应链，将技术领先转化为商业垄断。其清州M15工厂的HBM专用产线扩建，以及HBM4样品提前交付，进一步巩固了技术护城河。

反观三星，尽管存储营收环比增长11%，但设备解决方案（DS）部门因晶圆代工与存储器竞争乏力，经营利润同比暴跌94%，创六季度新低。在存储器方面，三星的HBM3E因未获英伟达认证而错失市场，虽计划第三季度量产12层堆叠产品并推进HBM4研发，但技术代差与客户信任的鸿沟短期内难以弥合。

三星与SK海力士的“王座易主”，体现出存储器领域的竞争已经与AI应用深刻绑定。不仅是这两大韩系厂商，美光也在布局高端领域。多家头部大厂对HBM与DDR5内存的资源倾注，同时影响着普通DRAM的供给。这就是自二季度起这波DDR4内存涨价热潮的根源。

DDR4“末期盛宴”：停产引发价格海啸

当巨头们将产能转向HBM和DDR5时，DDR4意外迎来十年未见的暴涨。三星、SK海力士、美光三大厂占据全球95%的DDR4份额，集体宣布淡出产能后，市场陷入恐慌性备货。

价格暴涨与倒挂：7月合约价暴涨60%-85%，第三季度预计再涨85-90%；DDR4现货价超过DDR5，16GB DDR4内存条价格两月内飙涨80%；

车用与工业需求刚性支撑：全球车用DRAM中DDR4占70%，工业领域超80%，巨头退出后供给缺口达50%-60%。

巨大市场空缺降临，给二线存储厂商创造巨大窗口机遇。中国台湾的南亚科因承接三星、美光退出后的DDR4订单缺口，产能持续满载，其DDR4产能已预订至2026年。另一家原厂华邦电同样订单爆满，8Gb DDR4样品供不应求，订单可见度延伸至2025年第四季。

从两家原厂的财报中，也可看出DDR4的需求提升。南亚科尽管第二季度受价格和汇率拖累亏损扩大，但DDR4销量环比增长70%，印证需求激增。华邦电第二季度营收同比微降，但其20nm产品营收贡献稳步攀升, 主要来自DDR4内存持续成长。在财报中，华邦电还看好DDR3和DDR4的价格涨势可延续至明年。

而颇为戏剧性的是，面对价格疯涨，三星与SK海力士紧急“踩下刹车”。三星讨论延长1z/1a工艺DDR4供应至2026年上半年，SK海力士或推迟停产至2026年第四季度。这一举措反映出存储市场转型期的结构性矛盾。当巨头们竞逐AI高端市场，这并不意味着传统需求就会消失。而DDR4的剧烈波动，也正在提醒应用端需要更完备的安全供应链建设。

美光战略收缩：退出红海，押注AI与本土化

8月初，美光中国区裁员传闻发酵，其随后澄清，是要在全球范围内停止移动NAND开发（含UFS5）。这一调整，反映出移动NAND市场红海化的实质，也与今年全球手机出货量不振的现实直接相关。除此以外，美光的战略还深化与美国本土应用的绑定，进而折射出半导体行业整体上的供应本地化趋势。

这两大战略转型，具体动向为：

主营高价值业务：退出移动NAND市场，但今年3月发布的G9工艺UFS 4.1/3.1移动闪存仍将履行供货，并完成退出前最后一轮高端客户绑定（如三星旗舰机型等），确保2025-2026年过渡期营收。今年4月，美光重组四大事业部，指向AI等高利润业务发展，移动业务（MCBU）被独立隔离，降低退出阻力。

美光G9工艺的高密度、低功耗特性可无缝适配车规级SSD及边缘计算设备，美光明确将保留这些高毛利领域的NAND开发。例如，车用UFS芯片需满足-40℃~105℃运行，G9的能效优势可降低热管理成本。

UFS 4.1的智能延迟追踪器（ILT）、ZUFS分区技术等AI加速功能，可整合至企业级SSD的控制器设计，提升数据中心冷热数据分层效率。美光CMBU（云存储事业部）将推动此类技术迁移。

另外，美光没有像三星与SK海力士那样延长DDR4供应时间，也体现出追求高利润业务的战略目的。

美国本土化产能建设：配合美国半导体回流政策，将产能聚焦本土高端客户需求，减少海外低效市场投入。

今年6月，美光宣布将在爱达荷州和纽约州投资超1150亿美元建设新晶圆厂，计划未来十年实现美国本土40%的DRAM产能占比。在纽约州，美光规划4座晶圆厂集群，构建全流程HBM产能（晶圆制造+先进封装）。在弗吉尼亚州则升级现有工厂，引入HBM封装技术，服务车规与工业市场。本土化可缩短对北美AI客户（如英伟达等）的响应周期，并降低地缘风险。

美光的战略目的用一句话概括，就是做AI浪潮中的“存储基座”，而非消费电子的配套供应商。结合AI目标客户与地缘因素，美光选择把发展重心放在美国本土，也体现出总体上的半导体本地化供应趋势。

结语：AI驱动重构，新版图呼之欲出

今年第二季度到第三季度的这段时间，存储市场剧烈震荡，揭示了一个新时代的序幕：SK海力士凭借HBM技术优势登顶，印证了AI算力对存储架构的核心影响力；DDR4的末期盛宴则彰显了新旧技术交替中的市场摩擦与商业机遇；美光的战略收缩与本土化浪潮，体现出全球供应链从全球化向区域化演变的趋势。

未来，随着AI服务器、自动驾驶、智能终端的爆发，存储需求将向高性能、高带宽、高可靠方向演进。在这一过程中，技术领先者将继续获得红利。半导体的本地化供应趋势，也将作用于存储领域，推动市场版图大范围重构。