1.内存涨价不停，三星、SK海力士四季度DRAM涨幅超预期

据快科技消息，得益于AI的强劲需求推动，DRAM市场正经历一轮“超级周期”，韩国两大巨头三星和SK海力士成为主要受益者。由于高附加值产品和传统DRAM的订单量暴增，业界观察认为，两家公司2025年第四季度DRAM的平均售价预计将大幅上涨，且涨幅高于最初的预期。

据报道，内存市场供需吃紧的状况不仅限于高端产品，由于主要供应商将大部分DRAM产能配置于HBM的生产，并大幅缩减了DDR4等产品的供应比重，导致用于PC和手机的通用型DRAM也面临着供需短缺，价格随之大幅飙升。

报道称，在这波涨价趋势中，韩国内存业预计第四季度DRAM的ASP（产品平均售价）涨幅将超乎早前预期。其中三星预计第四季度DRAM的ASP将比前一季上涨至十位数上缘，该涨幅高于上个月第三季度财报会议上原本估算的十位数中段。SK海力士预计第四季度DRAM的ASP将比前一季上涨至高个位数上缘。

面对内存供应的紧迫形势，主要的企业正在采取不惜成本、优先确保供货的策略，如小米和阿里巴巴等，已接受了比前一季高出50%以上的价格涨幅。

2.长鑫存储首次全面展示DDR5和LPDDR5X最新产品

据长鑫存储发布文章，在2025年11月23日开幕的第二十二届中国国际半导体博览会（IC China）上，长鑫存储以“双芯共振，5力全开”为主题，首次全面展示DDR5和LPDDR5X两大产品线最新产品。

长鑫存储发布了最新的DDR5产品系列：最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，并推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组及新型产品，覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景领域，满足各领域的高端市场需求。

长鑫存储同台展出了近期发布的LPDDR5X产品，该系列针移动市场旗舰产品，最高速率10667Mbps，最高颗粒容量16Gb，并涵盖12GB、16GB、24GB、32GB 等容量的多种封装解决方案。

长鑫存储通过DDR与LPDDR双线创新突破，将进一步丰富全球存储芯片的供给，为下游客户创造多元价值选择。长鑫存储将持续深耕技术迭代，精准响应市场需求，以自主实力引领产业生态协同升级。

3.SK海力士规划DRAM扩产，服务AI应用

据IT之家引述Wccftech消息，报道称为满足云服务提供商及英伟达、AMD等客户的迫切需求，SK海力士正计划到2026年将其DRAM产能扩大超过8倍。

此次扩产的核心是SK海力士韩国利川的生产基地，该工厂的1c DRAM晶圆月产量预计将从目前的2万片大幅提升至14万片。SK海力士还计划扩展其它生产基地，计划到2026年将其DRAM产能扩大8倍以上。

新增产能将重点分配给面向AI服务器和高性能计算领域的新一代产品，主要包括GDDR7图形内存模组和低功耗SOCAMM内存。不过即便主要供应商都在加速扩产，但内存短缺的警报远未解除。业内分析明确指出，此次产能扩张几乎完全是为 AI行业“定向增产”，普通消费者的电子产品将难以从中受益。

4.意法半导体推出18纳米STM32V8系列MCU

意法半导体（ST）日前宣布推出STM32V8系列新一代高性能MCU，该产品是全球首款基于最先进的18纳米工艺构建的MCU，具有嵌入式相变存储器（PCM）和强大的Cortex-M85内核。

STM32V8具有市场上最小的非易失性存储单元。与三星晶圆代工合作开发的FD-SOI CMOS工艺技术在性能和功耗方面实现了具有成本竞争力的飞跃，同时提供了出色的可靠性，以维持恶劣的工业环境，并对空间应用中的电离粒子具有鲁棒性。

此外，ST还宣布正与合作伙伴华虹宏力（HHGrace）按计划在本季度开始批量生产交付，客户很快将收到第一批完全在中国制造的STM32，其100%兼容性和质量水平与ST在世界其他地方生产的STM32产品相同。这将有助于进一步加快STM32在中国的采用。

5.成都华微：4通道12位ADC完成客户验证并收到意向订单

据科创板日报消息，成都华微在互动平台表示，1.关于新品市场反馈与客户接受度：公司今年发布的40G射频直采ADC（如HWD12B40GA4）、异构PSoC等芯片，凭借国际领先的性能指标和自主全流程技术优势，在目标市场获得积极反响。这些产品广泛应用于电子、通信、控制、测量等等关键领域，完美匹配下游对高集成度、低功耗、低延迟的核心需求，适配性经过多家客户验证。客户普遍反馈，产品在信号处理速度、稳定性及兼容性上表现突出，部分场景下已实现对国外同类产品的替代，尤其在复杂环境应用中的可靠性获得高度认可。

2.关于订单与交付情况：目前新品推进成效显著，其中8位64G超高速ADC（HWD08B64GA1）已在多家用户单位形成小批量供货，4通道12位40GSPS ADC芯片完成客户验证并收到意向订单，PSoC架构产品已形成小批量供货，TSN相关产品进入特种行业客户推广试用阶段。

6.天岳先进：已推出12英寸全系列衬底

据财联社消息，有投资者问天岳先进，近日，行业传出重磅消息，英伟达正计划在新一代GPU芯片的先进封装环节中采用12英寸碳化硅衬底，预计最晚将在2027年导入。评价一下此消息。天岳先进在互动平台表示，公司已关注到相关信息。

采用12英寸碳化硅作为中介层材料，不仅能显著提升散热效率、提高集成密度，还能缩小封装尺寸、降低成本。目前公司已推出12英寸全系列衬底（半绝缘/导电P型/导电N型）。