1.闪存大厂闪迪宣布涨价50%，多家模组厂暂停出货

据快科技引述相关报道，储芯片大厂SanDisk（闪迪）在11月将NAND Flash闪存合约价格大幅上调50%，涨幅惊人。

这一变动并非孤立事件。早在今年10月，三星电子就曾被曝出暂停DDR5合约报价，随后SK海力士、美光等DRAM原厂相继跟进，导致DRAM供应链出现严重供货中断。部分急需资源的客户被迫转向现货市场抢货，推动DDR5现货价格在一周内飙升25%。

闪迪此次合约价格的大幅上调，已对下游存储供应链造成明显冲击。包括创见（Transcend）、宜鼎（Innodisk）和宇瞻科技（Apacer Technology）在内的多家存储模组制造商，已暂停出货并重新评估产品报价。

2.群联CEO：当前存储行情“前所未见”

据IT之家消息，NAND闪存主控企业群联(Phison)CEO潘建成在公司2025Q3财报电话会议上表示，当前这波由AI推理推动的存储行情相当罕有，为其生涯此前所未见，且“或许一生只会见到一次”。

群联三季度营收181.37亿新台币，环比增长1.4%，创下历史新高；毛利润为58亿新台币，同为历史最佳。由于市场供应紧张，群联正谨慎管理出货并对新订单进行控制，以确保所有订单都能完成。群联目前正将供应资源从消费级向企业级、工业级、嵌入式、ODM端倾斜。

潘建成提到，最近所有NAND闪存厂商都开始提价，涨幅高达50-75%，这将进一步推高四季度的企业级需求；而在客户端部分，其主控出货量同比增长380%、环比增长72%，台积电6nm产能的紧俏将限制未来的供应能力。

3.德州仪器马来西亚第二座封测工厂投入使用

德州仪器（TI）当地时间6日宣布，在马来西亚马六甲开设其最新、最先进的封装和测试工厂TIEM2。新工厂采用先进的工厂自动化技术，每年可对数十亿个模拟和嵌入式芯片进行碰撞、探测、组装和测试，这些芯片对从汽车到智能手机再到数据中心的几乎所有类型的电子系统都至关重要。

TI的马六甲新封测厂占地90多万平方英尺，与现有的马六甲组装和测试工厂相连。合并后的设施现在包括140多万平方英尺的制造空间，将加工过的半导体晶圆转化为成品芯片。这项对马六甲的投资推进了TI的计划，即到2030年将90%的封装和测试业务内部化，通过拥有和控制供应链来加强内部制造业务。

4.英唐智控拟收购光隆集成与奥简微电子

据财联社消息，英唐智控公告称，拟通过发行股份及支付现金的方式购买光隆光隆集成100%的股权，以及奥简微电子80%的股权；同时，拟向其他不超过35名特定投资者发行股份募集配套资金。本次交易完成后，光隆集成将成为上市公司全资子公司；奥简微电子将成为上市公司控股子公司。

英唐智控表示，在技术与产品协同方面，公司在光电信号转换、MEMS振镜、车规芯片设计制造等领域有深厚积累，光隆集成和奥简微电子分别在光器件、基于MEMS技术的OCS(光路交换机)系统和模拟芯片设计行业深耕多年，双方可技术共享互补。在生产与采购协同方面，公司有望为光隆集成提供MEMS振镜制造产能，为奥简微电子纵向整合产业上下游供应链资源。

5.澜起科技推出新一代DDR5时钟驱动器芯片

澜起科技在11月10日宣布，正式推出新一代DDR5时钟驱动器(CKD)芯片，该芯片最高支持9200 MT/s的数据传输速率，可有效优化客户端内存子系统性能，为下一代高性能PC、笔记本电脑及工作站提供关键技术支撑。

继2024年成功量产支持7200 MT/s的DDR5 CKD芯片后，澜起科技持续深耕DDR5及后续标准的内存接口芯片设计。新款9200 MT/s CKD芯片采用公司自研的高速、低抖动时钟缓冲架构，可在主机控制器与DRAM芯片之间实现高精度时钟信号缓冲与驱动，显著提升时钟同步精度和信号完整性，全面增强DDR5 CUDIMM、CSODIMM、CAMM等主流客户端内存模组的系统性能与稳定性。

6.格罗方德取得台积电650V和80V氮化镓技术许可

格罗方德（GF）在当地时间10日宣布，已与台积电就650V和80V氮化镓（GaN）技术达成技术许可协议。这一战略举措将加速格罗方德用于数据中心、工业和汽车电源应用的下一代GaN产品，并为全球客户群提供美国GaN产能。

格罗方德将在其位于佛蒙特州伯灵顿的制造工厂获得许可的GaN技术资格，利用该工厂在高压硅基GaN技术方面的专业知识，为寻求下一代功率器件的客户加快批量生产。开发定于2026年初，生产将于今年晚些时候开始。