2025年下半年以来，存储市场迎来罕见的“超级周期”，DRAM与NAND闪存等各类主要存储器呈现“共振式涨价”，部分存储产品价格单月涨幅高达60%，DDR4内存累计涨幅已超过100%。“一天一个价，甚至一天几个价”，是这段时间存储器行情的真实写照。

这波涨价潮并非简单的周期性波动，而是AI革命对存储产业结构的彻底重塑。随着AI服务器需求爆发，三星、SK海力士、美光等头部原厂纷纷将产能转向高利润的HBM和DDR5产品，其他二线存储器厂商，以及本土存储器原厂，也相应地获得发展机遇。可以说，这轮涨价潮除了涨价本身，更将塑造出供应链安全议题主导的全新产业格局。

竞争白热化：头部原厂的AI战略角逐

存储产业正在经历一场由AI驱动的结构性分化。三大存储巨头不约而同地做出了激进选择：全面聚焦AI相关的高附加值产品，甚至不惜放弃经营数十年的消费市场。

三星电子正在实施一场“刮骨式改革”。据业内消息，三星考虑将30%-40%的HBM3E产能转换为生产利润率更高的通用DRAM产品。这一决策背后的逻辑简单而残酷：三星HBM3E的营业利润率预计只有30%左右，而其基于1b制程的DDR5等通用DRAM产品的营业利润率将超过60%。

三星内部人士直言不讳：“我们的核心目标是实现比SK海力士更高的营业利润，并在盈利能力方面明显超越他们。”为此，三星还将平泽园区部分DRAM产线转换为生产1c制程的HBM产线，将其HBM月产能提升至17万片晶圆，重新夺回行业第一位置。

SK海力士选择了截然不同的路径——全力押注定制化HBM市场。这家目前占据HBM市场主导地位（份额约55%）的韩国厂商，正在全力巩固其技术优势。2026年，SK海力士计划将1c DRAM月产能从今年的每月2万片晶圆提升至16-19万片晶圆，约占其DRAM总产能的三分之一以上。

SK海力士已发布“全栈式AI内存创造者”愿景，从AI半导体设计阶段就与客户协同开发定制化产品。在12月4日的组织架构调整中，公司专门为定制HBM封装新设立了良率与质量专责组织，并在美洲设立HBM技术专责组织，以加强客户服务响应。

美光科技则做出了最为激进的决策——完全退出消费市场。2025年12月，美光宣布将在2026年2月底前全面关闭运营了29年的Crucial消费品牌业务。美光首席商务官Sumit Sadana解释：“AI驱动的数据中心增长带动了内存和存储需求的激增。为了更好地为大型战略客户提供供应和支持，美光做出了这一艰难决定。”

与此同时，美光计划投资96亿美元在日本广岛建设新的HBM工厂，这将是美光自2019年以来首座新工厂，目标在2028年左右开始出货HBM芯片。

巨头的集体转向创造了显著的市场真空。TrendForce集邦咨询分析师指出：“进入2026年，三大原厂均预计持续快速将产能升级至先进制程，积极争取北美云厂商客户AI需求，同时减少成熟制程的产能比重。”这一策略的直接后果是DDR4等成熟存储芯片产品的供给紧缺将至少延续至2026年上半年。

利基型存储厂商迎来黄金窗口期

头部大厂专注AI领域的竞争，无意间在广阔的利基型存储市场撕开了巨大的供给缺口。正是在这一特殊时期，以中国台湾的华邦电子和南亚科为代表的利基型存储厂商，果断开启新一轮战略布局。

南亚科技2025年11月营收创下历史新高，环比增长29%，同比增长365%，体现出强大的盈利能力。南亚科技总经理李培瑛直言，公司已成为“三大原厂逐渐退出后的关键供应商”，其DDR4产品占比已超过五成，产能持续满载。

南亚科技目前采取的是兼顾聚焦和稳健的策略，将产能重点投向需求最广泛的8GB DDR4模块。这一产品在容量、成本与性能上取得了最佳平衡，是当前服务器、PC等领域填补缺口最直接的解决方案。

另一家利基型存储原厂华邦电子同样在大幅扩增产能。目前华邦电子董事会已核准355亿新台币的资本支出，计划到2026年底将DRAM月产能从1.5万片晶圆提升至3万片，专注于20nm/16nm制程的DDR4/LPDDR4。

华邦电子最近还推出基于自有16nm制程的8Gb DDR4 DRAM，正是其高雄厂扩产计划中的核心产品之一。尽管DDR5是趋势，但华邦选择将DDR4的性能推向极致。新品高达3600Mbps的传输速率，能够良好填补服务器、高端工业、嵌入式等领域的需求缺口。

对于两大利基型存储器厂商而言，这一波行情带来的不仅是短期利润，更意味着确立市场地位的战略机遇。随着AI向终端侧下沉，对嵌入式存储的需求日益增长，这些在特定领域有深厚积累的供应商，将会在产业新格局中找到自身定位。

本土存储器崛起：高端突破与产能扩张并行

在全球存储格局重构的背景下，中国大陆本土的存储企业正加速技术追赶与产能扩张，在高端领域逐步突破国际巨头的技术壁垒。当前由AI服务器、端侧AI智能体带来的存储“超级周期”，对高性能存储芯片产生了巨大需求。这为国产企业提供了进军高端市场的机遇。同时，国家层面持续推动算力基础设施高质量发展，为国产存储创造了广阔的市场空间。

长鑫存储在2025年11月发布的DDR5产品标志着国产存储芯片迈上关键台阶。其DDR5最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，并推出多种模组产品，覆盖服务器、工作站及个人电脑等场景。这一突破意味着国产存储芯片在高端领域已具备与国际巨头竞争的技术实力。

在产能方面，长鑫存储也取得了扎实进展。TrendForce集邦咨询数据显示，其产能预计在2025年底达到30万片晶圆/月，同比增长近50%。这对于缓解当前全球DRAM市场的供应紧张具有积极作用。

长江存储则加速扩张步伐，在武汉启动第三座晶圆厂的建设。该新厂规划月产能为10万片晶圆。达产后，长江存储总产能将挑战全球第四。这一扩张也有望使长江存储的全球市场份额有望从2024年的约9%提升至2026年的15%左右，将促进全球NAND闪存行业的价格话语权向中国倾斜。

国产存储器的进步不仅体现在芯片本身，更在于整个产业生态的完善和应用落地。上游的存储晶圆制造、中游的模组与主控芯片设计（江波龙、佰维存储、德明利等），以及下游的系统集成与应用（华为、浪潮、曙光等）已形成有效协同。金融、医疗、能源等关键行业的国产化存储方案已覆盖核心场景。佰维存储的自研eMMC主控芯片、江波龙的自研UFS主控芯片均已量产，标志着国产存储从“加工组装”向“核心自研”深化。

综合来看，本土存储产业的崛起不仅是商业上的成功，更具有战略意义。存储作为算力的“粮仓”，其自主可控性直接关系到AI产业的安全边界。在当前宏观环境下，扎根本土的存储产能将为国内庞大的电子产业供应链提供“压舱石”，在供应安全与成本优化层面，发挥核心支撑作用。

结语：超级周期重塑产业格局

全球存储市场的“超级周期”预计将持续到2027年末甚至更久。在这场变革中，产业链各环节需要清晰定位：头部原厂聚焦HBM等高端技术，二线厂商深耕利基市场，国产供应链加速技术突破，而代工厂则提供产能弹性。

对于下游企业，多元化采购和供应链韧性建设至关重要。对国内产业而言，加快构建自主存储标准体系、推动处理器与存储协同创新，是争夺未来话语权的关键。存储产业正从消费驱动转向技术驱动，唯有把握趋势者才能在变革中赢得先机。