1.智能手机DRAM库存将至4周以下

据快科技消息，TrendForce指出，当前智能手机DRAM库存已降至4周以下，处于极低水平，远低于通常8至10周的健康库存区间。在这一趋势下，预计进入2026年第一季度后，智能手机制造商将不得不采购DRAM以补充库存，即便面临价格上行压力，也必须接受以保证生产线正常运行。

近年来智能手机存储容量快速攀升的趋势在明年可能出现回调。部分制造商正考虑调整存储配置，例如将主流机型从“12GB+512GB”转向更具成本效益的“8GB+256GB”组合。

受今年多家DRAM制造商大幅减产或停产DDR4/LPDDR4X的影响，此轮DRAM价格上涨将首先波及低端机型。DRAM已成为今年智能手机成本上升的主要推手，其合同价格预计同比涨幅超过75%。通常情况下，DRAM占智能手机总物料成本的10%至15%，预计这将带动2025年整机成本上涨约8%至10%。

2.头部企业级固态硬盘厂商营收环比增长28%

据IT之家消息，研调机构TrendForce集邦咨询报告显示，TOP5企业级固态硬盘（eSSD）厂商，即五大 NAND 闪存原厂今年三季度eSSD相关营收总额达到 65.413亿美元，环比增幅28.0%，创下今年新高。

为保障AI服务器建设进度不会受到eSSD短缺而延误，云服务大厂近期正积极建立库存。TrendForce因此预计今年四季度eSSD的平均合约价将环比增长25+%，有望推动产业营收再创新高。

3.美国允许英伟达对华出售H200芯片

据多方媒体报道，当地时间12月8日，美国总统特朗普在社交媒体上发文宣布，美国政府将允许英伟达向中国出售其H200人工智能芯片，但对每颗芯片收取一定费用。

但特朗普仍在帖文中强调，被允许出口的芯片不包含英伟达更领先的Blackwell和即将面世的Rubin芯片。而其他芯片大厂，包括AMD、英特尔等也同样适用相关规则。此外，美方将从相关芯片出口中收取25%的分成。

4.三星4nm良率达70%，拿下大单

据快科技引述相关报道，三星电子近日获得美国AI芯片初创公司Tsavorite的订单，将采用其4nm制程工艺为后者代工AI芯片，订单金额超过1亿美元。

报道指出，三星电子持续推进4nm工艺的良率提升，近期已提高至60%-70%水平，重新增强了市场竞争力。今年10月，三星还成功获得了特斯拉自动驾驶芯片AI5的代工订单。

5.国巨11月合并营收同比增长22.4%

被动组件大厂国巨日前公布，2025年11月自结合并营收为122.65亿新台币，较上月增加8.0%，较去年同期增加22.4%，创下单月营收历史新高纪录（若以美元换算，单月营收较上月增加6.3%，较去年同期增加27.1%）；累计1-11月自结合并营收为1205.79亿新台币，较去年同期增加7.5% （若以美元换算，较去年同期增加10.6%）。

11月合并营收较上月成长，主系因收购芝浦电子的购并效益，以及高阶产品与AI相关应用之需求持续强劲所致。展望未来，尽管地缘政治上的重大不确定性依然存在，但客户库存已达到健康水平，公司仍将审慎应对未来经济情况，并密切关注关税及各国汇率的变化。

6.瑞芯微RK3588在机器人市场有较高占有率

据财联社消息，瑞芯微发布投资者关系活动记录表公告，公司旗舰产品RK3588在机器人市场已有较高占有率，与宇树科技、云深处科技、极智嘉、科沃斯等众多知名客户合作了多种形态的机器人产品，例如人形机器人、四足机器人、服务机器人、工业巡检机器人、AGV搬运机器人、清洁机器人等。

公司RK3588、RK3576是市面上同档位芯片中少数能够支持LPDDR5方案的芯片；同时公司近期陆续开放技术文档支持、发布各种存储颗粒的适配，在DDR缺货、涨价背景之下，为客户提供更灵活的选择，助力终端产品快速量产。

7.希荻微已推出10-20A大电流POL芯片

据科创板日报消息，希荻微在互动平台表示，公司车规和工规模拟集成电路研发项目的具体应用前景包括数据中心。公司研发的大电流POL（负载点）芯片产品和E-Fuses负载开关芯片产品可以为PC和服务器核心处理器供电以及保护系统免受输入瞬变、短路和电压尖峰等危害，优化电力传输，提升系统可靠性。

截至目前，公司已推出10-20A大电流POL芯片，该产品在正与下游多家客户进行软硬件适配，部分信创客户已进入量产爬坡阶段，更大电流规格的芯片产品也正在研发与调试过程中，有望为数据中心提供更强大的性能支持。

8.联电获imec 300mm硅光子技术平台授权

晶圆代工厂联电8日宣布，与全球领先的先进半导体技术创新研发中心imec签署技术授权协议，取得imec iSiPP300硅光子制程，该制程具备共封装光学(CPO)兼容性，将加速联电硅光子技术发展蓝图。通过此次授权合作，联电将推出12寸硅光子平台，以瞄准下世代高速连接应用市场。

随着AI数据负载日益增加，传统铜互连面临瓶颈，硅光子技术以光传输数据，正快速发展以满足数据中心、高效能运算及网络基础设施对超高带宽、低延迟及高能源效率的需求。联电将结合imec的12寸硅光子制程技术、加上自身在绝缘层上覆硅(SOI)制程的专业，以及过往8寸硅光子量产经验，为客户提供高度可扩展的光子芯片(PIC)平台。