2025年第四季度以来，元器件涨价潮早已不局限于存储器。在上游核心材料大幅涨价的加持下，从IC器件到被动元件，从晶圆代工到芯片原厂，涨价信息如潮水般不断释放，构成2026年紧锣密鼓的开篇基调。

金属等材料自上游激发涨价潮

钽金属：自2025年8月到12月，钽市场经历了从低迷到走强的转变，价格在四个月内累计上涨明显。五氧化二钽作为钽电容的核心原材料，四个月间的价格从约1670元/公斤上涨至1950-1980元/公斤区间，累计涨幅约为16.8%-18.6%。

作为上游原料的钽精矿因主要产地的供应禁令而预期紧张，持货商惜售并推高报价。原料成本压力通过产业链向下游的氧化钽、钽粉乃至最终的钽电容制造环节传导，成为推动终端元件涨价的关键因素之一。

2025年，国巨旗下基美（KEMET）对钽电容发起过两轮涨价，分别在6月和10月，两次幅度分别为约10%-15%和20%-30%，涨价范围从初次涨价的代理商扩展至所有客户。松下在2025年11月对钽电容发起涨价，幅度在15%-30%之间。

白银等金属：白银是厚膜电阻、片式电感与磁珠，以及部分电容的电极等被动元件的重要材料。整个2025年，国际现货白银价格从年初约30美元/盎司最高突破80美元/盎司，累计涨幅超过130%。除了白银之外，铜、钯、釕、镍、锡等金属原材料，也被原厂提及价格“大幅上涨”，共同构成电阻等被动元件的成本压力。

2025年11月，风华高科发送给合作伙伴的涨价函从业内传出，内容显示将对电感磁珠、压敏电阻、瓷介电容、厚膜电路等产品涨价，涨幅5% - 30%不等。12月，风华高科又有新一轮涨价传出，涨价品类涉及常规电阻、磁珠、铁氧体电感、敏感元件、保护元件及瓷介电容等产品，但并未提及具体幅度。

紧随风华高科，富捷电子、宏发电声、顺络电子、昶龙科技、玖维电子、合科泰电子、鼎声微电子、国邦电子等企业也在12月发出通知，对厚膜电阻、合金电阻等产品涨价，部分企业在涨价函中确认涨幅将达到10%-20%的水平。行业分析普遍认为，被动元件有望开启新一轮的涨价周期。特别是对于厚膜电阻、高性能电感等受银、铜价影响直接的产品，2026年价格可能进一步走强。

正式进入2026年之后，1月2日市场传出国巨旗下磁性元件品牌普思（PULSE）向客户发出通知，针对部分铁氧体磁珠产品实施价格调整，1月1日就已生效。这一涨价，也与白银等关键原材料的价格攀升直接相关。

铜金属：铜价在2025年累计涨幅已接近40%，截至12月末，伦敦金属交易所铜价最高触及每吨12960美元，上海期货交易所沪铜价格突破每吨10万元人民币，均创下历史新高。特别是9月以来，铜价上涨速率突然变陡，是供应冲击、宏观政策、需求预期与贸易扰动多重共振的结果。

铜是半导体封装导线架、各类元器件内部引线和接点的基础核心材料。铜价上涨已迫使全球四大导线架厂商（长科、顺德等）宣布从2026年元旦起涨价15%-30%。这将直接增加芯片的封装成本，并可能进一步传导至终端电子产品。

铜价上涨还传导至CCL（铜箔基板）行业，主要供应商建滔积层板在2025年12月26日宣布，对所有材料价格统一上调10%。建滔在2025年下半年，已经有三次提价，累计涨幅达15%-20%。其他台湾地区和大陆CCL厂商也在跟进或酝酿涨价。CCL的涨价，将使下游的PCB与载板行业面临成本压力。

除此以外，铜还在被动元件领域中有广泛应用。风华高科等厂商的涨价，也反映着铜价上涨带来的成本压力。

黄金：2025年黄金价格经历了历史性的“牛市”，截止年末，伦敦现货黄金价格年内累计涨幅超过70%，创下1979年以来最大年度涨幅。

黄金是高端芯片（如面板驱动IC）封装的“金凸块”工艺的关键材料。2025年上半年，金价飙涨直接导致封装厂（如颀邦、南茂）成本大增，进而推高相关芯片的封装报价。

除此以外，黄金与白银、铜等金属在金融市场上存在联动。贵金属的全面牛市，与工业金属的涨价（如铜、银）共同构成了2025年电子制造业面临的全方位原材料成本压力。这也是元件厂商（如基美、松下、风华高科）不得不频繁涨价的重要宏观背景。

其他重要材料的涨价，与金属类原材料涨价相叠加，也将冲击元器件行业的成本结构。

六氟化钨用于芯片制造中的接触孔和通孔填充，应用范围涵盖逻辑芯片、DRAM、3D NAND芯片，该材料2026年供应价格预计上调 70%-90%。

磷化铟用于高速光模块的光芯片（800G/1.6T/3.2T）、激光器等领域，该材料价格波动大，中长期看涨，有分析指出其价格翻倍是高概率事件。

高端玻纤布用于AI服务器所用高端PCB、芯片封装载板（如ABF载板）等领域，该材料自2025年8月起，部分高端品类价格上调约20%。

多类上游原材料价格攀升，从整体层面驱动半导体全行业的涨价潮。本轮存储器大涨和晶圆代工领域的涨价，除了在需求端受AI主导，同样在成本端与上游原材料的价格攀升直接相关。

晶圆代工涨价

晶圆代工行业已掀起一波从先进工艺到成熟制程的涨价潮，这并非短期波动，而是由强劲需求、供给约束和成本压力共同驱动的结构性调整。

台积电：5nm以下先进制程（如3nm/2nm），2026年起计划连续4年涨价，年均涨幅3%-5%。涨价主要反映先进制程高昂的资本支出及AI带来的旺盛需求。台积电2026年的首轮调价将维持个位数百分比涨幅，以合理覆盖生产成本攀升与产能供不应求的双重现状。

8英寸BCD工艺：2025年末，中芯国际和世界先进（VIS）先后对8英寸BCD工艺发起幅度约10%的涨价，主要影响依赖该工艺的电源管理芯片产业，并向上游和终端领域传导。

此轮涨价由供需双方面因素驱动：需求端，AI服务器对电源芯片需求大幅增加，占用了大量BCD产能；另一方面，全球8英寸成熟制程产能供给弹性不足，同时以金、铜为代表的原材料价格持续高位运行，各主要晶圆厂产能利用率已接近或超过100%，具备了涨价条件。

整个成熟制程领域，在BCD工艺调涨的基础上，联电、力积电等晶圆厂将迎来机遇。有报道指出，力积电已证实正在酝酿涨价，联电也预期晶圆平均价格的降幅将会趋稳。华虹半导体在2025年第二季度已经率先提价，涉及BCD等成熟工艺。

存储器持续涨价

存储器市场目前的涨价周期，与需求端以及原厂自身调整的相关性远强于上游成本因素。AI服务器等需求爆发，导致原厂产能转向高利润产品，进而挤压了传统消费电子领域存储器的供应。

DRAM方面，DDR4产品2026年第一季度合约价预计再涨30%-50%，部分现货价格在2025年下半年已上涨200%-400%；DDR5产品2026年第一季度合约价预计上涨超过40%。2026年，主要存储原厂将产能投向更先进的HBM4，导致HBM3E及DDR内存供应缺口扩大，为此三星、SK海力士已将2026年HBM3E供应价格上调近20%，DDR内存产品预期也将维持强劲涨价趋势。

NAND闪存方面，AI数据中心扩容，预期带动企业级SSD在2026年第一季度价格预计上涨20%-30%；消费级产品受到传导，SSD/eMMC/UFS在2026年1月起价格预计上涨10%-20%，移动端产品涨幅可能达25%-35%。

除此以外，AI需求也带动NOR Flash起涨。主要供应商之中的旺宏去年11月已经确认计划在2026年第一季度上调NOR Flash报价高达30%。兆易创新已于去年第三季度启动“温和涨价”，并将在2026年跟进整体涨价趋势。业界分析认为，AI应用推广提升代码总量，NOR Flash将维持供应偏紧态势，有利于其温和涨价。

存储涨价传导至终端领域，PC厂商中戴尔、联想、惠普等厂商已计划或已执行涨价，涨幅10%-30%。高内存配置机型涨幅更明显。手机方面，存储成本占硬件成本10%-20%，新品定价承压，低端机型利润受严重挤压。其他如智能汽车等终端市场也受到影响。由于成本上升会抑制需求，现已有多家机构下调了2026年手机、笔记本电脑等产品的出货量。

其他重要涨价信息

ADI：2025年12月涨价函传出，ADI将于2026年2月1日起对全系列产品实施涨价，以应对原材料、人力、能源及物流领域持续存在的全球性通胀压力。涨价函传出之前，消息称ADI对整体产品线的涨价幅度约为15%；还有消息称涨价将分两阶段进行，其中近千款军规级MPNs产品的涨幅或将高达30%。

罗姆（ROHM）：2025年12月涨价函传出，对部分半导体产品的价格进行相应的调整，从2026年3月1号开始执行，以应对生产成本的上涨。

TE连接器：2025年12月涨价函传出，TE Connectivity计划自2026年1月5日起对全产品线、全区域实施价格调整，部分品类的涨幅在5%-12%之间，范围包括车规连接器、高速背板连接器、线簧端子和工业连接器等几乎所有产品类别。

结语

2026年，成本敏感这一特性将会从上到下贯穿整条电子产业链。在此背景下，企业需要从根本上提升自己的精细化运营能力、供应链协同效率和客户服务价值。与此同时，AI、汽车电子、智能工业等新兴领域将在今年提供机遇。优化成本、把握先机，将是接下来市场竞争的主基调。

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