第四季度以来，元器件市场最重要的动向，无疑是安世半导体事件与存储器的全线涨价。最近“创芯指数”的热搜料号格局，也一改常态，绝大多数都围绕这两大变量涌现。
安世物料：走过热度峰值，仍需持续关注
进入11月，安世半导体物料热度相较10月下旬峰值，已经有所降温。主要说明由“恐慌性备货”和“供应链不确定性”驱动的非理性采购热潮已经退去，市场正在回归理性，真实的需求状况将逐步得以展现。政策豁免稳定预期、市场情绪回归理性、替代方案逐步推进等因素，都在推进这一变化。
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以上列举近期热门安世半导体物料的搜索量变化数据，在11月10日至16日这一周的搜索量，相比10月末周均出现大幅下降，这表明热度退潮是整体性的，而非个别型号的表现。列表中绝大部分器件都具备AEC-Q101（分立器件）或AEC-Q100（集成电路）车规认证。这表明此前的高搜索热度与汽车电子领域的强劲需求与集中备货直接相关。
具体型号集中在MOSFET（如BUK9K17-60E）、二极管（如BAV99-Q）、晶体管（如BC846B-Q）等基础分立器件和逻辑芯片（如74HC595）。这些是构成电子系统的“毛细血管”，需求广泛但替代性也较强。
替代方案层面，有多个国际原厂与安世半导体在同一市场竞争，主要包括安森美、英飞凌、TI、Vishay、Diodes等。国产品牌中也有多个品牌能够列入替代选型范围，包括华润微、扬杰科技、士兰微、华微电子、新洁能等。随着时间推移，越来越多的安世器件在应用端完成替代，也会使得上述型号的搜索量向常态趋近。
从目前的信息来看，供应已出现积极信号，部分安世成品已经恢复出货至车企。而供应链的真正恢复，事态解决还需要更进一步的推进。因此仍需持续关注安世事件的发展，以及相应物料的热度变化。
存储器：全面起涨，“老朋友”热度创新高
安世物料热度渐平，与此同时存储器却再奔赴新的高潮。年中时段，存储器热点局限在DDR4等利基型规格，而目前随着供需格局的进一步演变，已经发展成全线产品的走热和涨价。以下可见近期热门存储器的搜索量变动情况，其中既不乏众多年中以来就走热的物料，也有多个新加入的品牌和品类，共同描绘出本轮蔓延开来的存储器涨价潮。
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DDR3/DDR3L作为利基型DRAM，现仍大量应用于网络通信、工业控制、汽车电子等对成本敏感且生命周期长的领域。此类DRAM本应充分供应，但由于DRAM领域“产能挤压”效应显著，原厂将产能转向高利润的HBM和DDR5，直接断供或大幅削减DDR3产能，导致严重供不应求，相关型号搜索量也在月内飙升。
DDR4方面，从以下物料今年的走势可以看出，第一波高峰在年中DDR4内存开始传出停产断供的时间点；最近的第二波上涨，则是原先供应趋紧的强化，以及当前存储器全线涨价的烘托所致。DDR4目前服务器、数据中心、汽车电子等领域仍在大范围使用，这波热度上涨反映新的物料采购需求。
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价格方面，以8Gb容量DDR4内存K4A8G165WC-BCTD为例，其在年中时段价格陡然上涨，到达60元附近，对应当时传出的DDR4停产消息。最近时段，该物料再度迎来高斜率的涨价，升破95元，且仍保持上涨潜力。
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NAND闪存方面，从相应物料的搜素量增长，可见其正处于全面且结构性的需求爆发阶段，但不同品类表现迥异。高可靠性、小容量、利基型的SLC NAND和面向特定应用的eMMC是此轮行情的绝对主角，其搜索量的激增幅度远高于市场平均水平，反映了深刻的供需矛盾。汽车电子、工业自动化等领域，受到较大影响。
NOR Flash方面，华邦的几个型号在第二季度开始就是热门型号。以W25Q128JVSIQ等型号为例，伴随闪存市场、乃至整个存储器市场的全线涨价，其热度甚至超越第三季度高峰。而最近NOR Flash也有多家供应商同时涨价，该物料最近热度连续走高与之也有关联。另外，由于该物料此轮热度增长从10月假期后就以启动，在11月前就以达到高位，上冲势头早已展开，而不只限于最近。
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总体层面，近期热搜存储器型号，还有南亚、旺宏、兆易创新等品牌的物料跻身榜单，表明整体涨价之下，企业备货需求大幅增加，找料范围大幅扩展。这一迹象，更充分地体现当前的供应紧张是全局性和结构性的，并且已经渗透到产业的毛细血管之中。
两大关键变局，重塑供应链
因此，安世事件和存储器热潮是同一枚硬币的两面：前者揭示了地缘政治对成熟制程基础元器件的冲击，后者展现了AI算力需求对上游产能的虹吸效应，如何大范围影响整体应用市场。两者结合看待，体现出半导体供应链的脆弱性与急待补足。
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