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Intel 全力押注 EUV 工艺 争取首发下代高 NA 光刻机
2021-07-27 标签: 元件与制造  芯片 来源:快科技

Intel 这几年在工艺进度上落后跟 10nm、7nm 工艺多次跳票有关,而新工艺延期也跟 Intel 此前不考虑 EUV 工艺有关,所以 10nm 工艺才上了四重曝光,导致良率上不去,迟迟无法量产。



Intel 之前认为 EUV 工艺不够成熟,现在 EUV 光刻工艺已经量产几年了 ,Intel 也开始跟进了,原先的 7nm 工艺、现在的 Intel 4 工艺会是全面使用 EUV 光刻机的开始,首款产品是 Meteor Lake 流星湖 ,2023 年发布。


之后的 Intel 3 工艺 、Intel 20A 工艺上也会持续利用 EUV 工艺,进一步提升性能及能效。


再往后 Intel 还会积极跟进 EUV 技术发展 ,2025 年之后的工艺已经规划到了 Intel 18A, 将使用第二代 RibbonFET 晶体管 ,EUV 光刻机也会有一次重大升级。


Intel 表示致力于定义、构建和部署下一代 High-NA EUV, 有望率先获得业界第一台 High-NA EUV 光刻机。


Intel 目前正与 ASML 密切合作,确保这一行业突破性技术取得成功,超越当前一代 EUV。


这就意味着 Intel 很有可能首发下一代 EUV 光刻机,NA 数值孔径从目前的 0.33 提升到 0.5, 这是 ASML 的 NXE:5000 系列,之前预计是在 2023 年问世,现在推迟到了 2025-2026 年,单台售价预计将超过 3 亿美元,差不多人民币 20 亿一台。


Intel 为了超越台积电、三星重返半导体技术一哥,现在可以说是拼了老命了,对玩家来说这倒是好事,以往的带头大哥回来了。



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