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东芝推出XL-FLASH 3D SLC NAND 读取延迟小于5微秒
2019-08-06 标签: 存储  新品 来源:cnBeta

在去年的闪存峰会上东芝发布了XL-FLASH,这是一种用于低延迟SLC 3D NAND闪存,是用来与三星Z-NAND及英特尔3D XPoint竞争的产品。当时提供的细节很少,而现在东芝已经公布了更多细节,包括将其推向市场的时间表:下个月开始抽样,明年开始批量生产。




第一批XL-FLASH部件将使用128Gb裸片,结构上可以分为16层,以支持比现有的面向容量的3D NAND部件更高程度的并行性,页面大小为4KB,明显小于大多数3D NAND的容量来得小,再加上XL-FLASH每个单元只存储一位而不是三位或四位,因此我们预计它会比主流多层NAND的容量要小得多。


性能方面,由于采用了不同的结构,东芝表示读取延迟将小于5微秒,相比之下,他们的3D TLC约为50微秒。东芝的XL-FLASH和三星的Z-NAND之间最明显的差异可能最终形成不同的市场取向,三星将自己的Z-NAND用于自己的Z-SSD产品,但东芝的XL-FLASH将与3D TLC和QLC NAND一样销售。我们已经从一些SSD控制器供应商处听说他们计划在他们即将推出的控制器中支持XL-FLASH,当XL-FLASH开始进入市场时,SSD品牌应该会迅速跟进。


新一届的闪存峰会将于明天在圣克拉拉拉开帷幕,东芝将首次发表主题演讲。




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