1.英飞凌与英伟达合作，开发新一代AI数据中心电源方案

英飞凌5月20日宣布，与英伟达合作，正在开发基于800V高压直流（HVDC）中央发电新架构的下一代电力系统。新的系统架构显著提高了整个数据中心的节能配电，并允许直接在服务器板内的AI芯片（GPU）上进行电源转换。英飞凌在基于所有相关半导体材料硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的从电网到核心的电力转换解决方案方面的专业知识正在加速实现全面高压直流架构的路线图。

该举措为在加速计算数据中心实施先进的电力输送架构铺平了道路，并将进一步提高可靠性和效率。随着AI数据中心的GPU数量已经超过10万个，对更高效电力传输的需求变得越来越重要。在本十年末之前，AI数据中心每个IT机架将需要1兆瓦（MW）及以上的电力输出。因此，高压直流输电架构与高密度多相解决方案相结合，将为行业树立新的标准，推动高质量组件和配电系统的发展。

2.纳微半导体与英伟达合作，开发下一代800V高压直流架构

5月21日，氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）功率半导体供应商纳微半导体（Navitas）宣布，与英伟达就其下一代800 V高压直流架构进行合作，以支持由GaNFast和GeneSiC功率技术支持的Rubin Ultra等GPU的Kyber机架级系统。

纳维教育首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示：“我们很自豪被英伟达选中，与他们合作开展800 HVDC架构计划。我们在高功率GaN和SiC技术方面的最新创新创造了世界第一，并为人工智能数据中心和电动汽车等市场带来了新的变化。”。“凭借我们广泛的产品组合，我们可以支持从电网到GPU的NVIDIA 800V高压直流基础设施。我们很感激NVIDIA认可我们的技术和推动下一代数据中心电力输送的承诺。”

3.三星、美光等五大原厂同步减产，推动闪存价格反弹

据科创板日报引述中国台湾工商日报，五大NAND原厂同步减产，供给面收缩，助攻内存市场行情，根据调查，全球市占前五大NAND 闪存制造商，包括三星、SK海力士、美光、铠侠与西数，皆在2025年上半年启动减产计划，幅度在10%-15%，以调节供过于求的市场结构。预计第二季存储器价格，出现优于预期的反弹走势。

4.鸿海宣布投资2.5亿欧元建设欧洲首个FOWLP工厂

鸿海科技集团日前宣布，和法国Thales SA以及 Radiall SA签订三方合作备忘录，未来将于法国设立合资公司，投入半导体先进封装与测试（OSAT）。初期将以欧洲市场为主要服务对象，客户领域涵盖汽车、太空科技、6G移动通信、国防等多项产业。

本次鸿海总投入规模大约2.5亿欧元。其中，法国三方合作的OSAT半导体项目，未来会以扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术为主，这座工厂也将会是欧洲首座FOWLP先进封装测试厂。

5.传台积电2nm晶圆将涨价10%，应对成本上升

据财联社消息，据知情人士透露，台积电计划很快提高其先进制造节点之一的价格。知情人士称，未来几周晶圆价格将进一步飙升，这主要源于台积电在美国等海外地区建设晶圆厂成本上升，以及需要收回其今年资本支出计划中380亿至420亿美元。

台积电2nm工艺晶圆的价格将较此前上涨10%，去年300mm晶圆的预估价格为3万美元，而新定价将达到3.3万美元左右。此外，这家全球晶圆代工厂将把其4纳米制造节点的价格提高10%，最高可能提高30%。

6.研报：小米自研芯片或加速国产高端手机竞争格局变化

据财联社消息，天风证券研报称，预计小米发布自研芯片后，国产手机高端竞争格局或开始加速变化，头部具备自研底层硬件能力的手机厂商市占率提升或是小米估值提升的核心逻辑之一。

目前来看小米在手机、OS、芯片层面的多年自研和投入已逐渐开始兑现，此外手机、OS、芯片的协同效应正在汽车业务持续发展下推动，例如自研芯片或在手机以外的产品端使用，系统的优化规模效应或跨平台体现。预计小米2025-2026年经调整归母净利润分别为429亿元和855亿元人民币，维持对公司的买入评级。