在前期DDR4内存等存储物料的价格经历了一轮显著上涨后，最近NAND闪存的行情从横盘状态快速升温，全面的涨价行情似乎拉开序幕。这其中，NAND闪存市场供需调整到位、AI应用强势增长、消费电子传统旺季到来，都是重要的作用因素。

历经酝酿，NAND闪存“破局”起涨

9月初，NAND闪存原厂之一的闪迪（Sandisk）传出将针对全部渠道通路和消费类产品执行10%的涨价。9月中旬，美光也紧急暂停了所有DRAM和NAND闪存产品的报价。现有报道称，美光产品下月涨幅预计在10%至25%之间。进入本周，三星也跟进涨价。报道称三星已通知客户，DRAM产品中的LPDDR4X、LPDDR5/5X合约价将调涨15%至30%，NAND闪存也将调涨5%至10%。

回顾今年以来市场行情，NAND闪存经历了从盘整酝酿、温和上涨，再到全线普涨的完整过程。今年较早时段，NAND市场主要呈现的是需求不振、供过于求的格局，且与AI这一热门应用的联系也远少于DRAM。基于此状况，原厂在NAND闪存的产能方面趋于保守，主要采取的是技术升级、控制供应的策略。

第二季度起，原厂减产去库存逐渐收获成效，NAND闪存出现较为温和的涨价态势。至7月份，NAND闪存市场历经调整，供过于求明显改观。TrendForce集邦咨询预估，第三季度NAND闪存平均合约价将季增5%至10%。而CFM闪存市场的统计则指出，上半年全球NAND 闪存市场综合价格指数上涨9.2%。

再到传统电子旺季的时间段，NAND闪存的需求预期再次被拉抬，再叠加已有的去库存成果与AI需求的短时扩大，也就有了现在的涨价行情。美光与三星两大综合型原厂的涨价，为后市走向打下了基础。而目前最需要关注的变化，就是AI领域存储路线的改变，对固态硬盘（SSD），以及大容量存储方案所需的QLC闪存的需求。

AI 应用面扩大，QLC闪存成焦点

在AI推理需求爆发、端侧AI普及的背景下，云计算行业数据呈现指数级增长，存储需求随之迅速跃升。但目前作为AI数据存储主力、基于机械硬盘（HDD）所打造的近线硬盘（Nearline HDD）出现严重的缺货涨价，这促使SSD的需求量大幅增加，特别是大容量QLC SSD更为尤甚，其需求将会爆发式增长。

据市场估算，2025年服务器存储用量占全球NAND总消耗量的比重约为30%，而在2026年该比例还会进一步提高。具体到QLC方面，根据CFM闪存市场的预估，QLC闪存NAND市场整体的供货比重，预计在2025年提升至20%。并且会有超过45%的QLC闪存产能将用于服务器，用来存储温数据和冷数据。下一阶段，QLC闪存必然是各大闪存厂商竞争的关键领域。

就堆叠层数而言，SK海力士的QLC闪存率先达到321层。美光的2600系列的堆叠层数（276层）拥有独特的自适应写入技术，能够最大程度优化性能。三星最近传出其第9代V-NAND QLC闪存因设计缺陷，被迫将大规模生产的时间推迟到2026年上半年，目前只能靠176层的第7代产品支撑产品线。铠侠在7月宣布，LC9系列企业级SSD新增一款容量达到245.76TB型号，刷新单盘容量记录。

由此可见，原厂都已瞄准QLC闪存发力。通过集中资源，现有的堆叠难度与良率问题都将逐步克服。根据TrendForce集邦咨询的预测，大容量QLC SSD出货可能于2026年出现爆发性增长。这是结合强大的AI需求与传统HDD供应天花板所做的推断。而现有QLC闪存的良率问题，原厂也会集中资源加以克服。这一过程，与原厂在DRAM领域集中资源开发HBM的策略相仿。

扩展至更大视角，不论是在DRAM还是在NAND闪存方面，原厂的产能规划和研发投入都以AI需求为轴线展开，这将直接影响不同类型存储器的供应和价格。而本轮存储行情的强度与持续时间，也将更取决于AI需求的发展，以及随之而来的原厂产能规划方式。而本轮存储器行情从第三季度起涨，也说明在AI的介入之下，传统的淡旺季规律已经被弱化。

消费电子回温，促进需求增量叠加

在AI唱响需求的同时，消费电子也进入旺季。9月iPhone 17系列发布，全系列搭载256GB的闪存基础容量，Pro版与Air版机型搭载12GB的DRAM容量，对存储器的总需求比以往更大。从预订情况来看，今年标准版与Pro Max版更加畅销，所有型号综合出货量预期也好于去年，从而更加带动存储器的需求量。

产品发布之前，就有供应链消息指出，苹果大幅拓展存储器供应链，合作厂商增至五家，几乎整合了所有存储器大厂。这显然是出自苹果一贯的供应链策略，以规避供应风险并应对涨价压力。更多供应商的引入，也意味着苹果对今年新品出货表现持乐观态度。

在旺季阶段，安卓阵营也将有多款手机和平板新品发布，势必也将搭载更大存储容量，展开市场竞争。各大手机厂商，也在引入超薄机身设计、超大存储容量、生成式AI、折叠屏、先进影像系统等卖点，争取带动更多产品出货量。综合来看，手机市场“卷度”的增长，将推动存储器用量的提升。其他非AI的消费类应用，包含传统PC等，则已碰触需求天花板，消费者换机需求有限。

供应端方面，除了原本的供应趋紧之外，美光之前宣布退出移动NAND闪存市场，也是一个重要的供应链变动。这如同在本就因AI需求旺盛和全球原厂减产转型而紧绷的存储市场供应链上，又压上了一根稻草。这是一次巨头基于利润最大化原则做出的战略转移，其行动本身和带来的连锁反应，都成为本轮NAND闪存涨价潮的重要推手。

供应端与AI应用驱动行情

在此之前，DDR4内存、小容量eMMC闪存等存储器，都已经历涨价行情，而今NAND闪存也紧随其后。随着供需关系的扭转，加上大量市场信息的铺垫，存储器的价格上涨氛围，已被烘托得十分浓厚。

也需要注意到，不论是DDR4内存的上涨，还是NAND闪存最近的强势涨价，都离不开原厂在技术升级、资源分配、产能规划等方面的选择。而原厂频繁的调整举措，也需要应用端预防突发的供应链变化。

而在需求端，存储器市场也同样存在AI与非AI应用的分化，对于消费电子的回温，持久度需结合多方数据与市场动向预判。AI引领的存储器升级潮流，将在未来扮演需求的主要动力。